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龙图腾网获悉深圳市晶存科技股份有限公司申请的专利eMCP芯片老化测试装置及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119763649B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510266518.8，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权eMCP芯片老化测试装置及其测试方法是由刘孜;谢登煌设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本eMCP芯片老化测试装置及其测试方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种eMCP芯片老化测试装置及其测试方法，设置了分别与eMMC部分和LPDDR部分通信连接的嵌入式系统主机，首先，确定目标测试场景，根据目标测试场景确定目标测试性能参数；嵌入式系统主机根据目标测试性能参数对LPDDR部分进行测试操作，将LPDDR部分的第一测试结果存储至数据库或者外置存储器；eMMC控制器根据目标测试性能参数对NandFlash进行测试操作，得到eMMC部分的第二测试结果；在测试操作过程中，嵌入式系统主机将第一测试结果发送至eMMC控制器，eMMC控制器对第一测试结果和第二测试结果进行整合，将整合测试结果写入至NandFlash。本申请能够直观体现eMCP产品的测试结果，利于后续产品测试结果的跟踪，并且还能够降低分Bin成本，降低老化测试对产品寿命的影响。

本发明授权eMCP芯片老化测试装置及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种eMCP芯片老化测试装置的测试方法，其特征在于，所述eMCP芯片老化测试装置包括嵌入式系统主机和eMCP芯片，其中，所述eMCP芯片包括eMMC部分和LPDDR部分，所述eMMC部分包括eMMC控制器和NandFlash，所述嵌入式系统主机分别与所述eMMC部分和所述LPDDR部分进行通信连接；所述方法包括： 确定目标测试场景，根据所述目标测试场景确定目标测试性能参数； 所述嵌入式系统主机根据所述目标测试性能参数对所述LPDDR部分进行测试操作，并将所述LPDDR部分的第一测试结果存储至数据库或者外置存储器； 所述eMMC控制器根据所述目标测试性能参数对所述NandFlash进行测试操作，得到所述eMMC部分的第二测试结果； 在测试操作过程中，所述嵌入式系统主机将所述第一测试结果发送至所述eMMC控制器，所述eMMC控制器对所述第一测试结果和所述第二测试结果进行整合，并将整合测试结果写入至所述NandFlash； 其中，所述目标测试场景的场景类型包括如下至少之一：移动设备测试场景类型、汽车电子测试场景类型、工业设备测试场景类型； 另外，在对所述LPDDR部分和所述eMMC部分进行多次测试操作的情况下，所述方法还包括： 在同一个所述场景类型的情况下，对于所述LPDDR部分，比较当前的第一测试结果和上一次的第一测试结果，得到当前的第一测试结果和上一次的第一测试结果之间的第一差异增量结果，并将所述第一差异增量结果存储至数据库或者外置存储器； 在同一个所述场景类型的情况下，对于所述eMMC部分，比较当前的第二测试结果和上一次的第二测试结果，得到当前的第二测试结果和上一次的第二测试结果之间的第二差异增量结果； 另外，所述eMMC控制器对所述第一测试结果和所述第二测试结果进行整合，包括： 所述eMMC控制器获取同一类别的所述场景类型下的所述第一差异增量结果和所述第二差异增量结果； 对所述第一差异增量结果和所述第二差异增量结果进行整合，得到合并差异增量结果； 将所述合并差异增量结果写入至所述NandFlash，以对存储于所述NandFlash的所述整合测试结果进行更新。

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