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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119654059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510163403.6，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法是由田禾;高彩芳;刘晏铭;吴凡设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法，涉及半导体器件制备技术领域，包括：在衬底上旋涂PMMA稀释液，进行电子束曝光，并进行低温显影，形成图案化底接触电极；将图案化底接触电极经物理气相沉积，去胶剥离后制得底接触电极；利用原子层沉积的方式在制备底接触电极的衬底上制备绝缘层；将带有铜基底的二维材料进行铜基底刻蚀，转移至绝缘层上方；将转移的二维材料进行图案化处理，得到图案化的二维材料电极；在二维材料图案化后的衬底表面旋涂PMMA稀释液，烘烤固胶后，进行电子束曝光，低温显影，形成图案化顶接触电极；将图案化顶接触电极经物理气相沉积，制得顶接触电极。本发明可大幅降低器件尺寸，提升器件性能均一性。

本发明授权一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法，所述二维材料忆阻器的结构从下至上依次包括：第一衬底、第二衬底、底接触电极、绝缘层、二维材料电极层、顶接触电极，其中，所述第二衬底通过在所述第一衬底上生长得到，其特征在于，所述方法包括： S1：在所述第二衬底上旋涂预先制备的PMMA稀释液，按照预先设计的接触电极版图对所述第二衬底进行第一掩膜图形电子束曝光，并进行低温显影，形成图案化底接触电极，其中，所述第一掩膜图形的尺寸为纳米级； S2：将所述图案化底接触电极经过第一物理气相沉积，去胶剥离后制得纳米级尺寸的底接触电极； S3：利用原子层沉积的方式在制备好底接触电极的所述第二衬底上制备绝缘层，所述绝缘层的材料包括氧化铪； S4：将带有铜基底的二维材料进行铜基底刻蚀，转移至所述绝缘层上方，所述二维材料为石墨烯； S5：将转移好的所述二维材料进行图案化处理，得到图案化的二维材料电极； S6：在二维材料图案化后的所述第二衬底表面旋涂所述PMMA稀释液，烘烤固胶后，进行第二掩膜图形电子束曝光，并进行低温显影，形成顶接触电极图形；其中，所述第二掩膜图形的尺寸为纳米级，所述第二掩膜图形与所述图案化底接触电极呈十字交叉状排列； S7：将所述顶接触电极图形经过第二物理气相沉积，去胶剥离后制得纳米级尺寸的顶接触电极，所述顶接触电极的材料包括氮化钛、银，所述第一掩膜图形、所述第二掩膜图形的设计线条尺寸分别为1nm、5nm、10nm、15nm、20nm、25nm和30nm； 所述PMMA稀释液的制备方法包括： 选择PMMA300.07.5系列的PMMA光刻胶； 将PMMA光刻胶和苯甲醚按照2:1的配比进行混合，得到PMMA稀释液，其中，该配比下的稀释液厚度为70-75nm； 所述电子束曝光的剂量大于1000mJcm2； 进行低温显影的显影液为保存在5℃以下冷藏环境中的PMMA稀释液。

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