深圳市晶存科技股份有限公司黄文海获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市晶存科技股份有限公司申请的专利一种内存器的读写测试方法、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119559991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113149.9，技术领域涉及：G11C29/18；该发明授权一种内存器的读写测试方法、电子设备及存储介质是由黄文海设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内存器的读写测试方法、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种内存器的读写测试方法、电子设备及存储介质，包括：与待测内存器建立通讯连接；获取若干个测试子序列；按照预设的地址间隔，为每个测试子序列设定对应的写入地址；按照预设的写入顺序，将对应的测试子序列写入至内存缓冲区内，根据测试序列对应的写入地址，将内存缓冲区内的测试子序列写入至待测内存器，并对内存缓冲区执行清洗操作以清除内存缓冲区内的数据，直至所有的测试子序列完成写入至待测内存器中；再次按照写入顺序，依次通过内存缓冲区和根据写入地址，从待测内存器分别获取得到若干个读取子序列；将读取子序列和测试子序列进行对比，生成测试结果。本申请能够高效对内存器进行读写测试的同时，还能保证测试准确性。
本发明授权一种内存器的读写测试方法、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种内存器的读写测试方法，其特征在于，应用于测试主控芯片，所述测试主控芯片包括内存缓冲区，所述读写测试方法包括： 与待测内存器建立通讯连接； 获取若干个测试子序列；其中，所述测试子序列的长度小于或等于所述内存缓冲区的长度； 按照预设的地址间隔，为每个所述测试子序列设定对应的写入地址； 按照预设的写入顺序，将对应的所述测试子序列写入至所述内存缓冲区内，根据所述测试子序列对应的写入地址，将所述内存缓冲区内的所述测试子序列写入至所述待测内存器，并对所述内存缓冲区执行清洗操作，直至所有的所述测试子序列完成写入至所述待测内存器中；其中，所述清洗操作用于清除所述内存缓冲区内的数据； 再次按照所述写入顺序，依次通过所述内存缓冲区和根据所述写入地址，从所述待测内存器分别获取得到若干个读取子序列； 将所述读取子序列和对应的所述测试子序列进行对比，生成测试结果。
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