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龙图腾网获悉深圳市晶存科技股份有限公司申请的专利内存芯片耦合故障测试的控制方法、装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119559999B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113144.6，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权内存芯片耦合故障测试的控制方法、装置及电子设备是由黄文海设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本内存芯片耦合故障测试的控制方法、装置及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种内存芯片耦合故障测试的控制方法、装置及电子设备，包括：获取待测芯片中的分布结构；将存储单元分为若干个待测区域，并确定待测区域间的第一测试顺序以及每个存储单元的第二测试顺序；获取第一测试序列和第二测试序列；将第一测试序列写入至第一个待测区域内，并将第二测试序列一次写入至其他待测区域内；待所有的待测区域完成写入后，再次根据第一测试顺序和第二测试顺序，分别从每个待测区域分别读取得到目标测试序列；根据第一测试顺序，将目标测试序列分别与对应的第一测试序列或第二测试序列进行比对，确定耦合故障类型。本申请能够提高对内存芯片耦合故障排查的效率，保障了内存芯片的质量和可靠性。

本发明授权内存芯片耦合故障测试的控制方法、装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种内存芯片耦合故障测试的控制方法，其特征在于，包括： 获取待测芯片中的存储单元的分布结构； 根据所述分布结构，将所述存储单元分为若干个待测区域，并确定所述待测区域间的第一测试顺序以及每个所述存储单元的第二测试顺序；其中，每个待测区域中所述存储单元的数量相同； 获取待写入所述待测区域的第一测试序列和第二测试序列；其中，所述第一测试序列的长度与每个所述待测区域的所述存储单元相对应，且与所述第二测试序列的长度相对应； 根据所述第一测试顺序和所述第二测试顺序，将所述第一测试序列写入至第一个所述待测区域内，并将所述第二测试序列一次写入至其他所述待测区域内； 待所有的所述待测区域完成写入后，再次根据所述第一测试顺序和所述第二测试顺序，分别从每个所述待测区域分别读取得到目标测试序列； 根据所述第一测试顺序，将所述目标测试序列分别与对应的所述第一测试序列或所述第二测试序列进行比对，确定耦合故障类型； 其中，所述将所述目标测试序列分别与对应的所述第一测试序列或所述第二测试序列进行比对，确定耦合故障类型，包括： 将所述目标测试序列分别与对应的所述第一测试序列或所述第二测试序列进行逐位比对，记录异常地址位； 当所述异常地址位相邻的地址不为所述异常地址位，确定所述耦合故障类型为单位翻转故障； 当所述异常地址位相邻的地址为所述异常地址位，且所述目标测试序列与所述第一测试序列或所述第二测试序列的重合占比小于或等于预设的占比阈值，确定所述耦合故障类型为多位翻转故障； 当所述异常地址位相邻的地址为所述异常地址位，且所述目标测试序列与所述第一测试序列或所述第二测试序列的重合占比大于所述占比阈值，确定所述耦合故障类型为数据移位故障。

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