深圳市晶存科技股份有限公司刘孜获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市晶存科技股份有限公司申请的专利一种LPDDR芯片的EMI值测试方法、系统、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510082275.2，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权一种LPDDR芯片的EMI值测试方法、系统、装置及存储介质是由刘孜设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LPDDR芯片的EMI值测试方法、系统、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LPDDR芯片的EMI值测试方法、系统、装置及存储介质，方法包括：获取LPDDR芯片的第一存储容量；获取LPDDR芯片的第二存储容量；将第一存储容量和第二存储容量分别与预设存储容量进行比较得到第一比较结果；根据第一比较结果、第一存储表和第二存储表获取第一EMI值和第二EMI值；根据第一EMI值和第二EMI值确定LPDDR芯片EMI值。通过全面且有针对性地检测整个LPDDR芯片中两个Rank的存储容量，并根据存储容量获取相应的第一EMI值和第二EMI值，从而准确测试LPDDR芯片的EMI值，进而准确初始化LPDDR芯片，提升LPDDR芯片的稳定性。
本发明授权一种LPDDR芯片的EMI值测试方法、系统、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种LPDDR芯片的EMI值测试方法，其特征在于，包括： 获取LPDDR芯片的第一存储容量，所述第一存储容量表征第一Rank所对应的存储容量； 获取LPDDR芯片的第二存储容量，所述第二存储容量表征第二Rank所对应的存储容量； 将所述第一存储容量和所述第二存储容量分别与预设存储容量进行比较得到第一比较结果； 根据所述第一比较结果、第一存储表和第二存储表获取第一EMI值和第二EMI值，具体包括：根据所述第一比较结果确定所述第一存储容量和所述第二存储容量分别与所述预设存储容量的大小关系，并根据所述大小关系从所述第一存储表或所述第二存储表获取所述第一EMI值和所述第二EMI值；所述第一存储表表征第一参数值和存储容量的关系表，所述第二存储表表征第二参数值和存储容量的关系表，所述第一EMI值表征所述第一Rank的EMI值，所述第二EMI值表征所述第二Rank的EMI值； 根据所述第一EMI值和所述第二EMI值确定LPDDR芯片EMI值。
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