西南科技大学廖晓波获国家专利权
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龙图腾网获悉西南科技大学申请的专利金属空心微纳米结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119772166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411988255.3，技术领域涉及：B22F1/0655；该发明授权金属空心微纳米结构制备方法是由廖晓波;余家欣;张亚锋;周鑫;周毅;王英豪;廖璇;苏武魁设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属空心微纳米结构制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属空心微纳米结构制备方法，包括：S1、通过COMSOL仿真软件对不同沉积脉冲电压波形进行仿真沉积实验，以得到相同电压功率下正弦波脉冲、方波脉冲在沉积效率、沉积结构特征变化上的关联特性；S2、基于S1得到的关联特性，通过MCED技术以及交流沉积电压控制策略在金属基底上制备金属空心微纳米结构。本发明提供一种金属空心微纳米结构制备方法，通过在金属空心微纳米结构制备过程中采用MCED技术，能有效完成复杂几何结构和空间阵列结构的制备，扩大了现有自模板法的应用范围。
本发明授权金属空心微纳米结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属空心微纳米结构制备方法，其特征在于，包括： S1、通过COMSOL仿真软件对不同沉积脉冲电压波形进行仿真沉积实验，以得到相同电压功率下正弦波脉冲、方波脉冲在沉积效率、沉积结构特征变化上的关联特性； S2、基于S1得到的关联特性，通过MCED技术以及交流沉积电压控制策略在金属基底上制备金属空心微纳米结构； 在S1中，所述关联特性为： 相同电压功率下，正弦波脉冲相对于方波脉冲具有更高的沉积效率； 相同电压功率下，在方波脉冲制备的环状沉积物基础上，施加正弦波脉冲之后沉积物具有明显形成空心结构趋势； 所述交流沉积电压控制策略包括： S20、调节得到电压幅值为0.9-0.8V、正电压占空比为0.3、频率为1Hz的方波脉冲，以在金属基底上沉积出环状沉积带； S21、调节得到电压幅值为1.8-0.28V、频率为0.5Hz1Hz的正弦波脉冲，以在环状沉积带上按预定的金属沉积轨迹进行沉积，以制备得到金属空心微纳米结构。
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