北京量子信息科学研究院吴邦获国家专利权
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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利基于微腔增强型固态双光子源的双光子激发方法及装置、量子光学器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119965671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411942935.1，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权基于微腔增强型固态双光子源的双光子激发方法及装置、量子光学器件是由吴邦;王旭杰;冒芯蕊;黄国奇;王嘉俊;袁之良设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于微腔增强型固态双光子源的双光子激发方法及装置、量子光学器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于微腔增强型固态双光子源的双光子激发方法及装置、量子光学器件。微腔增强型固态双光子源至少包括衬底层、第一反射层、腔中心层和第二反射层，半导体量子点设置在腔中心层内。双光子激发方法包括：基于预设激发方式和声子辅助弛豫方式将半导体量子点由基态激发至第一壳层亮双激子态；基于第一壳层亮双激子态的自发辐射得到第一光子；第一光子与腔中心层的腔膜共振产生腔光子，腔光子受激辐射，激发得到第二光子，第二光子与第一光子形成双光子。
本发明授权基于微腔增强型固态双光子源的双光子激发方法及装置、量子光学器件在权利要求书中公布了：1.一种基于微腔增强型固态双光子源的双光子激发方法，其特征在于，所述微腔增强型固态双光子源至少包括衬底层、第一反射层、腔中心层和第二反射层，半导体量子点设置在所述腔中心层内，所述双光子激发方法包括： 基于预设激发方式和声子辅助弛豫方式将所述半导体量子点由基态激发至第一壳层亮双激子态； 基于所述第一壳层亮双激子态的自发辐射得到第一光子； 所述第一光子与所述腔中心层的腔膜共振产生腔光子，所述腔光子受激辐射，激发得到第二光子，所述第二光子与所述第一光子形成双光子； 所述基于预设激发方式和声子辅助弛豫方式将所述半导体量子点由基态激发至第一壳层亮双激子态包括： 通过预设激光将所述半导体量子点由基态激发至第二壳层暗激子态； 将所述第二壳层暗激子态基于声子辅助弛豫至第一壳层暗激子态； 通过所述预设激光将所述第一壳层暗激子态激发至第二壳层暗双激子态； 将所述第二壳层暗双激子态基于声子辅助弛豫至所述第一壳层亮双激子态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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