广东全芯半导体有限公司李锦光获国家专利权
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龙图腾网获悉广东全芯半导体有限公司申请的专利一种半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119764298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411899760.0,技术领域涉及:H01L23/552;该发明授权一种半导体封装及其制造方法是由李锦光;何婉婷;赵春伴设计研发完成,并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种半导体封装及其制造方法,包括EMI屏蔽层,本发明的有益效果是:通过在EMI屏蔽层与支撑模之间设置连接凸块和导电铜棒,为焊接导线提供了稳固的支撑结构,这种设计有效防止了焊接导线在封装过程中的偏移或脱焊,显著提高了封装的良率和可靠性,导电铜棒和导电凸块的使用不仅增强了机械连接,还确保了良好的电性连接,从而提升了整体电路的稳定性和性能;通过在封装结构中引入了密封填充槽和封闭槽的设计,通过注塑形成的密封空间有效防止了外部水分、灰尘等有害物质的侵入,支撑底框与外封闭框、封闭底框的紧密配合,以及密封材料的填充,共同构成了一个高效的密封系统,为封装内部的电路和元件提供了全方位的保护。
本发明授权一种半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装,其特征在于,包括EMI屏蔽层1,所述EMI屏蔽层1的顶部固接有一号支撑模2,所述一号支撑模2的顶部固接有二号支撑模3,所述二号支撑模3的顶部固接有半导体基板4,所述EMI屏蔽层1的内部等距固接有多个连接凸块6,所述连接凸块6的底部固接有一号导电凸块5,所述一号导电凸块5的顶部与EMI屏蔽层1固接,所述一号支撑模2的内部设置有连接组件,所述连接组件与连接凸块6相连,所述半导体基板4的内部设置有导电组件,所述导电组件与连接组件连接,所述导电组件的顶部等距设置有顶导电块12,所述顶导电块12的顶部固接有顶金属板13,所述顶金属板13的顶部固接有一号导电块30,所述一号导电块30的顶部设置有金属迹线31,所述金属迹线31的顶部等距设置有多个二号导电块32,所述二号导电块32的顶部设置有封装金属板33,所述半导体基板4的顶部设置有一号裸片14,所述一号裸片14的顶部设置有二号裸片16,所述二号裸片16的顶部设置有三号裸片17,所述一号裸片14的内部等距设置有多个一号连接点15,所述三号裸片17的顶部等距设置有多个二号连接点18,所述一号连接点15与金属迹线31之间通过导线焊接相连,所述封装金属板33的底部与二号连接点18之间连接,所述三号裸片17的上方设置有外壳19,所述外壳19的内侧设置有封装固定组件,用于对一号导电块30、金属迹线31、二号导电块32、封装金属板33的封装位置固定,所述外壳19的外侧固接有外封闭框20,所述外封闭框20的底部固接有封闭底框21,所述外封闭框20的底部开设有一号密封填充槽22,所述EMI屏蔽层1的底部设置有支撑底框23。
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