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龙图腾网获悉无锡升滕半导体技术有限公司申请的专利一种半导体反应腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833383B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411820782.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种半导体反应腔室是由孙德付;韩万华;王路;杨从飞设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体反应腔室在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，且公开了一种半导体反应腔室，包括用于半导体进行等离子蚀刻的壳体，可拆卸安装在所述壳体顶部开口处的密封盖，设置在所述壳体内腔中部的静电卡盘以及设置在所述静电卡盘与所述壳体内腔壁之间的清理机构。本发明通过壳体、静电卡盘、清理机构配合设计，清理的均匀性好，便于使反应腔内的上部与下部清理效果一致，不易使发生颗粒残留，有助于提升半导体制造的良品率，提升了设备的使用效果和实用性，避免了反应腔上部受到的清理效果好，而下部受到的清理效果较差，清理的均匀性差，使反应腔内腔下部附着的颗粒不易脱落，易影响半导体制造的良品率，同时降低了设备使用的效果和实用性的问题。

本发明授权一种半导体反应腔室在权利要求书中公布了：1.一种半导体反应腔室，其特征在于，包括用于半导体进行等离子蚀刻的壳体1，可拆卸安装在所述壳体1顶部开口处的密封盖2，设置在所述壳体1内腔中部的静电卡盘3以及设置在所述静电卡盘3与所述壳体1内腔壁之间的清理机构4； 所述清理机构4包括周向固定在所述壳体1内圈壁与所述静电卡盘3外圈之间的环形底板41，在所述环形底板41内圈中上下移动的环形连接板42，固定套设在所述环形连接板42外圈壁顶部的环形顶板43，周向开设在所述环形顶板43外圈壁中部的环形槽44，设置在所述环形槽44内用于对所述环形顶板43外圈壁与所述壳体1内圈壁之间进行密封的密封件5，设置在所述环形底板41与所述环形顶板43之间的环形气囊45，周向等距设置在所述环形气囊45外侧的一组可弯折的弹性板46，所述弹性板46的外表面远离所述环形气囊45的一侧等距开设有喷孔47，设置在所述环形顶板43下方用于连接所述密封件5与所述弹性板46的连接机构6，设置在所述连接机构6一侧用于与所述环形气囊45内腔连通的进气件7，转动设置在所述环形底板41上表面的环形底座411，开设在所述弹性板46下部的过滤腔48，所述过滤腔48的内腔上部远离所述环形气囊45的一侧开设有进气口49，所述过滤腔48的内腔另一侧设置有用于过滤氧化物颗粒的过滤网410，所述过滤腔48的内腔下部设置有用于检测机构8； 其中，所述弹性板46的底端与所述环形底座411的上表面固定连接，所述环形顶板43的外圈与所述壳体1的内腔之间周向设置有对接环9，所述对接环9的外圈壁与所述壳体1的内腔固定连接，所述环形气囊45的上下两部分别通过固定环与所述环形顶板43的底面和所述环形底板41的上表面固定连接，所述环形气囊45的底部连通有单向进气阀，所述弹性板46的一侧与所述环形气囊45的外表面活动连接，所述环形底板41的底面周向等距竖直固定安装有一组电动伸缩杆10，所述电动伸缩杆10的输出轴端贯穿至所述环形底板41的上方，且所述电动伸缩杆10的输出轴端面与所述环形顶板43的底面固定连接，所述壳体1的内腔周向固定安装有凸环，所述凸环的内圈壁与所述环形顶板43的外圈壁活动连接。

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