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龙图腾网获悉烟台齐新半导体技术研究院有限公司申请的专利一种半导体器件中镂空结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119176521B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411687287.X，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种半导体器件中镂空结构的制备方法是由侯森设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件中镂空结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件中镂空结构的制备方法，应用于半导体制备领域，包括：选取承载载片的键合面和或半导体器件的键合面作为待加工键合面；在待加工键合面制备初始键合胶，并利用初始键合胶将承载载片和半导体器件键合连接，并将全部的初始键合胶作为最终键合胶；最终键合胶中至少部分在对键合器件进行解键合处理时软化，在半导体器件中制备的镂空结构，与软化的最终键合胶部分无接触；制备镂空结构；对键合器件进行解键合处理。本发明将上述最终键合胶设置为至少部分在对键合器件进行解键合处理时软化，且制备的镂空结构与最终键合胶中软化的部分无接触，能够避免软化的最终键合胶带动镂空结构移动，提高了半导体器件的制备良品率。

本发明授权一种半导体器件中镂空结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件（4）中镂空结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供承载载片（10）和半导体器件（4），选取所述承载载片（10）的键合面和或所述半导体器件（4）的键合面作为待加工键合面； 在所述待加工键合面制备初始键合胶，并利用所述初始键合胶将所述承载载片（10）和所述半导体器件（4）键合连接，得到键合器件，并将所述承载载片（10）和所述半导体器件（4）间全部的所述初始键合胶作为最终键合胶（3）；所述最终键合胶（3）包括沿预设方向层叠设置的第一子键合胶层（21）和第二子键合胶层（42），且所述第一子键合胶层（21）的软化温度小于所述第二子键合胶层（42）的软化温度；所述预设方向为由所述承载载片（10）的键合面指向所述半导体器件（4）的键合面的方向；所述第二子键合胶层（42）沿所述预设方向对应半导体器件（4）形成有通孔结构（421）； 所述在所述待加工键合面制备初始键合胶，并利用所述初始键合胶将所述承载载片（10）和所述半导体器件（4）键合连接，得到键合器件，包括： 在所述半导体器件（4）的键合面制备所述第二子键合胶层（42）； 对所述半导体器件（4）进行加工处理，以在所述半导体器件（4）中制备所述镂空结构；所述通孔结构（421）对应所述镂空结构，以使所述第二子键合胶层（42）与所述镂空结构无接触；所述最终键合胶（3）中所述第一子键合胶层（21）在对所述键合器件进行解键合处理时软化，在所述半导体器件（4）中制备的镂空结构，与所述第一子键合胶层（21）无接触； 利用热滑移解键合工艺对所述键合器件进行解键合处理，完成所述半导体器件（4）中所述镂空结构的制备。

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