北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学陈燕宁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利一种SONOS闪存器件、制备方法、芯片和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411653732.0，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权一种SONOS闪存器件、制备方法、芯片和电子设备是由陈燕宁;刘芳;吴波;李哲轩;任堃;高大为;邓永峰;李君建;米朝勇设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SONOS闪存器件、制备方法、芯片和电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，具体涉及公开了一种SONOS闪存器件、制备方法、芯片和电子设备，该制备方法包括：在硅衬底上制备隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上制备底部氮化硅层；对所述底部氮化硅层进行离子轰击处理；对离子轰击处理后的底部氮化硅层进行等离子体钝化处理；在所述底部氮化硅层的上方制备阻挡氧化层；在所述阻挡氧化层上制备多晶硅栅极。该技术方案可以同时提高SONOS闪存器件的存储窗口和可靠性，主要用于制备SONOS闪存器件。
本发明授权一种SONOS闪存器件、制备方法、芯片和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS闪存器件的制备方法，其特征在于，包括： 在硅衬底上制备隧穿氧化层； 在所述隧穿氧化层上制备底部氮化硅层； 对所述底部氮化硅层进行离子轰击处理； 对离子轰击处理后的底部氮化硅层进行NH3等离子体钝化处理，包括：通过激发NH3分子生成氮和氢自由基，所述自由基与所述底部氮化硅层中的悬挂键反应生成钝化层，所述钝化层使得底部氮化硅层中浅能级的悬挂键饱和，减少界面处的陷阱密度，降低所述底部氮化硅层中的浅能级陷阱数量； 在所述底部氮化硅层的上方制备阻挡氧化层； 在所述阻挡氧化层上制备多晶硅栅极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学，其通讯地址为：100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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