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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种低介电常数、高导热的多孔结构绝缘纸、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119243519B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411606688.8，技术领域涉及：D21H27/12；该发明授权一种低介电常数、高导热的多孔结构绝缘纸、制备方法及应用是由任俊文;夏紫璇;杨帅;张跃;王梓;张稼珵;曾瑞池;陈钰;童盈盈;贾申利设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低介电常数、高导热的多孔结构绝缘纸、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低介电常数、高导热的多孔结构绝缘纸、制备方法及应用，包括以下步骤：步骤1：采用硅烷偶联剂处理氮化硼纳米片BNNS，得到硅烷功能化的氮化硼纳米片fBNNS分散液；步骤2：将fBNNS分散液加入芳纶纳米纤维ANF分散液中，静电自组装得到fBNNS@ANF；步骤3：在纳米纤维素CNF表面构筑金属有机框架，得到负载有金属有机框架的CNF；步骤4：将步骤2得到的fBNNS@ANF和步骤3得到的负载有金属有机框架的CNF混合，油浴、超声条件下充分反应，真空抽滤、真空热干燥、热压，即可得到所需低介电常数、高导热的多孔结构绝缘纸；本发明得到的绝缘纸在保证介电常数和导热性能的同时能够具有较高的机械强度。

本发明授权一种低介电常数、高导热的多孔结构绝缘纸、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种低介电常数、高导热的多孔结构绝缘纸的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：采用硅烷偶联剂处理氮化硼纳米片BNNS，得到硅烷功能化的氮化硼纳米片fBNNS分散液； 步骤2：将fBNNS分散液分多次加入芳纶纳米纤维ANF分散液中，超声处理后搅拌，静电自组装得到fBNNS@ANF； 步骤3：在纳米纤维素CNF表面构筑金属有机框架，得到负载有金属有机框架的CNF；金属有机框架为铜金属有机框架；负载有金属有机框架的CNF制备过程如下： 将纳米纤维素CNF、均苯三甲酸H3BTC和铜离子盐分别溶于溶剂中，得到三种物质的溶液； 将H3BTC溶液和铜离子盐溶液充分混合，然后加入CNF溶液中，超声、搅拌、离心后，洗涤即可得到负载有金属有机框架的CNF； 步骤4：将步骤2得到的fBNNS@ANF和步骤3得到的负载有金属有机框架的CNF混合，油浴、超声条件下充分反应，真空抽滤、真空热干燥、热压，即可得到所需低介电常数、高导热的多孔结构绝缘纸。

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