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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利匹配STT-MRAM不对称读取和写入电流的电路结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119380773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411530544.9，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权匹配STT-MRAM不对称读取和写入电流的电路结构及方法是由李炎璟设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本匹配STT-MRAM不对称读取和写入电流的电路结构及方法在说明书摘要公布了：本发明属于存储器技术领域，公开了一种匹配STT‑MRAM不对称读取和写入电流的电路结构及方法，包括串联在过渡线TL和STT‑MRAM的源线SL之间的电流匹配电路，包括：N个连接的晶体管，N≥2；在一个或多个晶体管的栅极连接有三个控制信号：写入“1”操作激活信号WR1，写入“0”操作激活信号WR0及读取操作激活信号RD；当N个晶体管之间并联，或者串并联之后，使得匹配电路满足：激活WR1时，电流匹配电路的等效电阻为R1；激活WR0时，电流匹配电路的等效电阻为R2；激活RD时，电流匹配电路的等效电阻R3；且R3＞R2＞R1。本发明能够在匹配不同操作的电流大小的同时减少匹配结构的面积开销。

本发明授权匹配STT-MRAM不对称读取和写入电流的电路结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种匹配STT-MRAM不对称读取和写入电流的电路结构，其特征在于，包括串联在过渡线TL和STT-MRAM的源线SL之间的电流匹配电路，所述STT-MRAM包括比特单元阵列，所述比特单元阵列中的每个比特单元并联在所述STT-MRAM的位线BL和所述过渡线TL之间，且所述STT-MRAM采用单电源供电； 所述电流匹配电路包括：N个连接的晶体管，N≥2；其中，在一个或多个所述晶体管的栅极连接有写入“1”操作激活信号WR1，在一个或多个所述晶体管的栅极连接有写入“0”操作激活信号WR0，在一个或多个所述晶体管的栅极连接有读取操作激活信号RD； 当N个晶体管之间并联，或者串并联之后，使得所述匹配电路满足： 激活所述WR1时，所述电流匹配电路的等效电阻为R1； 激活所述WR0时，所述电流匹配电路的等效电阻为R2； 激活所述RD时，所述电流匹配电路的等效电阻R3；且R3＞R2＞R1； 当N个晶体管之间并联，或者串并联之后的支路上仅有一个晶体管时，所述过渡线TL连接该支路晶体管的源极或漏极，所述源线SL对应的连接该支路晶体管的漏极或源极； 当N个晶体管之间并联，或者串并联之后的支路上有多个串联的晶体管时，所述过渡线TL连接该支路靠近所述过渡线TL侧的晶体管的源极或漏极，所述源线SL连接该支路靠近所述源线SL侧的晶体管的源极或漏极。

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