国芯半导体(仪征)有限公司戴广军获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉国芯半导体(仪征)有限公司申请的专利一种半导体硅外延片材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411507340.3，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权一种半导体硅外延片材料及其制备方法是由戴广军;王革峰;卫国设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体硅外延片材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体硅外延片材料及其制备方法，涉及半导体材料技术领域，包括如下步骤：步骤S1、衬底的预处理；步骤S2、预制层的生长；步骤S3、第一外延层的生长；步骤S4、第二外延层的生长。本发明公开的半导体硅外延片材料平坦度高、均匀性佳、吸杂能力强。
本发明授权一种半导体硅外延片材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体硅外延片材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1、衬底的预处理：外延前对选用的硅衬底进行抛光、清洗，接着使用氢气进行烘烤，接着对衬底进行背封处理，得到预处理的硅衬底；所述清洗是采用RCASC-2液进行清洗，清洗过程中采用多能场辅助处理5-8min；所述多能场为稳恒磁场和电磁振荡场的叠加场；所述稳恒磁场的磁场强度为5000-13000Gs；所述电磁振荡场的频率为13-33HZ，此时中低占空比为18-32%； 步骤S2、预制层的生长：采用分子束外延工艺在衬底表面生长预制层；所述预制层为N型掺杂，重掺；所述N型掺杂有N、P、As、Sb、Bi中的至少一种元素； 步骤S3、第一外延层的生长：常压下，采用单片外延生长系统，高纯石墨基座为硅片载体，保护气为超高纯H2；在预制层表面进行第一外延层的生长；所述第一外延层的生长过程中，使用的硅源为SiH2Cl2、SiH4按质量比3-5:1混合而成； 步骤S4、第二外延层的生长：18-20Kpa的低压下，采用单片外延生长系统，高纯石墨基座为硅片载体，保护气为超高纯H2；在预制层表面进行第二外延层的生长；所述第二外延层的生长过程中，使用的硅源为SiH2Cl2、SiH4按质量比1-3:1混合而成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国芯半导体(仪征)有限公司，其通讯地址为：211400 江苏省扬州市仪征经济开发区闽泰大道1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号