扬州扬杰电子科技股份有限公司王正获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利延长短路耐受时间的SiC晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223195064U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422402036.4，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型延长短路耐受时间的SiC晶体管是由王正;杨程;裘俊庆;万胜堂;王坤;王毅设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本延长短路耐受时间的SiC晶体管在说明书摘要公布了：延长短路耐受时间的SiC晶体管。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的SiCSub层、SiCDrift层、N区、隔离介质层和正面电极金属层；所述SiCDrift层内设有从顶面向下延伸的P区；所述N区上设有：Pwell区，从所述N区的顶面向下延伸；NP区，从所述Pwell区的顶面向下延伸；栅氧化层，截面呈U形结构，从所述NP区的顶面向下延伸至P区内；Poly层，填充在所述栅氧化层内；所述隔离介质层的底面分别与NP区、栅氧化层和Poly层连接，侧部设有与所述NP区连接的正面欧姆接触合金层。本实用新型避免沟道底部拐角栅氧化层的提前击穿失效，提高了器件的使用可靠性。
本实用新型延长短路耐受时间的SiC晶体管在权利要求书中公布了：1.延长短路耐受时间的SiC晶体管，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层（1）、SiCDrift层（2）、N区（4）、隔离介质层（9）和正面电极金属层（11）； 所述SiCDrift层（2）内设有从顶面向下延伸的P区（3）； 所述N区（4）上设有： Pwell区（5），从所述N区（4）的顶面向下延伸； NP区（6），从所述Pwell区（5）的顶面向下延伸； 栅氧化层（7），截面呈U形结构，从所述NP区（6）的顶面向下延伸至P区（3）内； Poly层（8），填充在所述栅氧化层（7）内； 所述隔离介质层（9）的底面分别与NP区（6）、栅氧化层（7）和Poly层（8）连接，侧部设有与所述NP区（6）连接的正面欧姆接触合金层（10）。
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