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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利沟槽型SiC场效应晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223195065U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422397274.0，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型沟槽型SiC场效应晶体管是由王正;杨程;裘俊庆;万胜堂;王坤;王毅设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽型SiC场效应晶体管在说明书摘要公布了：沟槽型SiC场效应晶体管。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的SiCSub层、SiCDrift层、P区、NP区、欧姆接触合金层和正面电极金属层；所述SiCDrift层上设有：N区，位于所述SiCDrift层的中部，从所述SiCDrift层的顶面向下延伸；Pwell区，从所述SiCDrift层的顶面向下延伸，并与所述N区连接；Pwell区的底面不高于N区的底面；PP区，从所述NP区的顶面向下延伸至N区内；栅氧化层，截面呈U形结构，从所述NP区的顶面向下延伸至SiCDrift层内；Poly层，填充在所述栅氧化层内；所述NP区顶面设有覆盖在栅氧化层和Poly层顶面的隔离介质层。本实用新型通流路径的沟道宽度增大，提高了SiCMOSFET器件的通流能力，饱和电流也得到提高。

本实用新型沟槽型SiC场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.沟槽型SiC场效应晶体管，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层（1）、SiCDrift层（2）、P区（5）、NP区（6）、欧姆接触合金层（11）和正面电极金属层（12）； 所述SiCDrift层（2）上设有： N区（3），位于所述SiCDrift层（2）的中部，从所述SiCDrift层（2）的顶面向下延伸； Pwell区（4），从所述SiCDrift层（2）的顶面向下延伸，并与所述N区（3）连接；Pwell区（4）的底面不高于N区（3）的底面； PP区（7），从所述NP区（6）的顶面向下延伸至N区（3）内； 栅氧化层（8），截面呈U形结构，从所述NP区（6）的顶面向下延伸至SiCDrift层（2）内； Poly层（9），填充在所述栅氧化层（8）内； 所述NP区（6）顶面设有覆盖在栅氧化层（8）和Poly层（9）顶面的隔离介质层（10）； 所述正面电极金属层（12）的底部分别与欧姆接触合金层（11）和隔离介质层（10）连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州扬杰电子科技股份有限公司，其通讯地址为：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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