泉州市三安光通讯科技有限公司周广正获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州市三安光通讯科技有限公司申请的专利一种垂直腔面发射激光器及激光器阵列获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223194232U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422367691.0，技术领域涉及：H01S5/183；该实用新型一种垂直腔面发射激光器及激光器阵列是由周广正;肖春平;袁海荣;刘超设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔面发射激光器及激光器阵列在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器及激光器阵列，包括由下至上依次层叠的衬底、第一DBR层、量子阱有源区，氧化层和第二DBR层，其中，量子阱有源区包括交替设置的InGaAs势阱层和InGaP势垒层，每个InGaAs势阱层插入在两个相邻的InGaP势垒层之间，InGaAs势阱层的数量为m，3≤m≤5，与第一DBR层接触的InGaP势垒层为下InGaP势垒层，与第二DBR层的InGaP势垒层为上InGaP势垒层，位于InGaAs势阱层之间的InGaP势垒层为中InGaP势垒层，上InGaP势垒层的厚度小于等于中InGaP势垒层的厚度，下InGaP势垒层的厚度小于等于中InGaP势垒层的厚度。本实用新型在提升VCSEL器件可靠性的同时，同时保持了高传输速率的优势。
本实用新型一种垂直腔面发射激光器及激光器阵列在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：包括由下至上依次层叠的衬底、第一DBR层、量子阱有源区，氧化层和第二DBR层，其中，量子阱有源区包括交替设置的InGaAs势阱层和InGaP势垒层，每个InGaAs势阱层插入在两个相邻的InGaP势垒层之间，InGaAs势阱层的数量为m，3≤m≤5，与第一DBR层接触的InGaP势垒层为下InGaP势垒层，与第二DBR层的InGaP势垒层为上InGaP势垒层，位于InGaAs势阱层之间的InGaP势垒层为中InGaP势垒层，上InGaP势垒层的厚度小于等于中InGaP势垒层的厚度，下InGaP势垒层的厚度小于等于中InGaP势垒层的厚度。
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