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苏州远创达科技有限公司罗晚会获国家专利权

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龙图腾网获悉苏州远创达科技有限公司申请的专利一种GaN功率放大器件的内外匹配电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223194684U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422363711.7,技术领域涉及:H03F1/56;该实用新型一种GaN功率放大器件的内外匹配电路是由罗晚会;张勇;卓英浩;廖世明设计研发完成,并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种GaN功率放大器件的内外匹配电路在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种GaN功率放大器件的内外匹配电路,包括封装法兰、GaN管芯、输入引脚和输出引脚,封装法兰上GaN管芯通过第一键合线连接第一匹配电容,所述第一匹配电容通过第二键合线连接第二匹配电容,第二匹配电容通过第三键合线连接输入引脚,组成二阶低通匹配网络,GaN管芯通过第四键合线连接输出引脚,输出引脚连接第一匹配节,第一匹配节连接隔直电容,隔直电容另一端连接第二匹配节,第二匹配节连接第三匹配节,构成外匹配电路,第一匹配节和第二匹配节用于将输出阻抗通过阻抗变化提高到50Ω。输入采用二阶低通内匹配网络和输出外匹配连两段开路微带线,均可以实现二次谐波阻抗短路,有效提高放大器的功率和效率,输出匹配节组合用来展宽功率放大器的带宽。

本实用新型一种GaN功率放大器件的内外匹配电路在权利要求书中公布了:1.一种GaN功率放大器件的内外匹配电路,包括封装法兰,所述封装法兰上设置有GaN管芯,所述封装法兰两端设置有输入引脚和输出引脚,其特征在于,所述封装法兰上GaN管芯与输入引脚间设置第一匹配电容和第二匹配电容,所述GaN管芯通过第一键合线连接第一匹配电容,所述第一匹配电容通过第二键合线连接第二匹配电容,第二匹配电容通过第三键合线连接输入引脚,所述第一键合线、第二键合线、第三键合线、第一匹配电容和第二匹配电容组成二阶低通内匹配网络,所述GaN管芯通过第四键合线连接输出引脚,所述输出引脚连接第一匹配节,第一匹配节连接隔直电容,隔直电容另一端连接第二匹配节,所述第二匹配节连接第三匹配节,所述第二匹配节与第三匹配节的连接点作为射频输出端,第一匹配节、隔直电容、第二匹配节和第三匹配节构成外匹配电路,所述第一匹配节和第二匹配节用于将输出阻抗通过阻抗变化提高到50Ω。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州远创达科技有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市东富路45号联创产业园7号楼1-3楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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