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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利高低压MOS结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223195066U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422356460.X，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型高低压MOS结构是由孙楠;于江勇;李静怡;代佳;晋孟佳设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本高低压MOS结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种高低压MOS结构，包括设有低压阱区的低压区和设有高压阱区的高压区；低压区的低压MOS器件，包括叠设的薄栅氧层和低压侧栅极、位于低压侧栅极两侧的低压侧源漏区；高压区的高压MOS器件，包括叠设的高压侧栅氧层和高压侧栅极；位于高压阱区内的第一第二漂移区；第一第二漂移区内分别设有高压侧源区和漏区，高压侧源区和漏区分别位于高压侧栅氧层两侧；高压侧栅氧层包括沿栅长方向依次交叠设置的第一场氧化层、厚栅氧层和第二场氧化层，厚栅氧层的厚度大于薄栅氧层的厚度，第一和第二场氧化层的厚度大于厚栅氧层的厚度。该高压侧栅氧层的设计，可准确地控制源漏区的注入剂量和深度，提高产品的电性能和可靠性。

本实用新型高低压MOS结构在权利要求书中公布了：1.一种高低压MOS结构，其特征在于，包括： 衬底，包括低压区和高压区，所述低压区内设有低压阱区，所述高压区内设有高压阱区，所述低压阱区和所述高压阱区均自衬底一侧表面向所述衬底内延伸，且所述低压阱区和所述高压阱区间隔设置； 位于所述低压区的低压MOS器件，包括层叠设置于低压阱区表面的薄栅氧层和低压侧栅极、以及位于所述低压阱区内的低压侧源区和低压侧漏区，且所述低压侧源区和所述低压侧漏区分别位于所述低压侧栅极两侧； 位于所述高压区的高压MOS器件，包括：层叠设置于高压阱区表面的高压侧栅氧层和高压侧栅极；设置于所述高压阱区内的第一漂移区和第二漂移区，第一漂移区和第二漂移区之间为沟道区；位于第一漂移区内的高压侧源区，位于第二漂移区内的高压侧漏区，且高压侧源区和高压侧漏区分别位于高压侧栅氧层两侧； 其中，所述高压侧栅氧层包括沿栅长方向依次交叠设置的第一场氧化层、厚栅氧层和第二场氧化层，所述厚栅氧层的厚度大于所述薄栅氧层的厚度，所述第一场氧化层的厚度和所述第二场氧化层的厚度均大于所述厚栅氧层的厚度；所述高压侧栅极在衬底表面的正投影位于所述高压侧栅氧层在衬底表面的正投影内。

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