嘉兴斯达微电子有限公司韦子超获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴斯达微电子有限公司申请的专利一种优化芯片散热的IGBT车用单管功率模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223193805U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422345074.0，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型一种优化芯片散热的IGBT车用单管功率模块是由韦子超;陈烨;姚礼军;刘志红设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种优化芯片散热的IGBT车用单管功率模块在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种优化芯片散热的IGBT车用单管功率模块，涉及功率模块技术领域，包括：绝缘散热基板，所述绝缘散热基板的中部设有芯片单元；引线框架，所述引线框架连接所述绝缘散热基板，所述引线框架设有凹槽结构，所述凹槽结构和所述芯片单元的表面连接；外壳，所述外壳将所述绝缘散热基板、所述芯片单元和所述引线框架封装在内部，所述绝缘散热基板的外金属层从所述外壳的底部露出。有益效果是通过将发热较高的芯片单元布置在绝缘陶瓷基板的中部，并使用金属打沉的凹槽结构对芯片进行双面焊接，提高了封装的功率密度，可以有效地解决由于外金属层的边缘处焊接分层导致的散热问题。
本实用新型一种优化芯片散热的IGBT车用单管功率模块在权利要求书中公布了：1.一种优化芯片散热的IGBT车用单管功率模块，其特征在于，包括： 绝缘散热基板，所述绝缘散热基板的中部设有芯片单元； 引线框架，所述引线框架连接所述绝缘散热基板，所述引线框架设有凹槽结构，所述凹槽结构和所述芯片单元的表面连接； 外壳，所述外壳将所述绝缘散热基板、所述芯片单元和所述引线框架封装在内部，所述绝缘散热基板的外金属层从所述外壳的底部露出。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人嘉兴斯达微电子有限公司，其通讯地址为：314000 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇凌公塘路3339号(嘉兴科技城)1号楼220室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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