台湾积体电路制造股份有限公司蔡纾婷获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利影像感测装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223195072U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422180957.0，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型影像感测装置是由蔡纾婷;王子睿;陈愉婷;丁世汎;陈思莹设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本影像感测装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种影像感测装置，形成适合具有小间距的光侦测器的深沟渠隔离结构的问题透过工艺解决，其中使用高能量等离子体从前侧蚀刻出沟渠的栅格，然后进行退火。沟渠填充氧化物，然后进行蚀刻以使氧化物凹陷。沟渠凹槽被半导体填充，形成网格状半导体结构。在FEOL处理、BEOL处理、附着到第二基板以及从背侧减薄之后，蚀刻会去除背面的氧化物。蚀刻停止在网格状半导体结构上。然后从背面对沟渠进行衬里和填充。前侧蚀刻允许沟渠变窄并具有高度垂直的侧壁。从背侧到沟渠的衬里和填充提供了良好的光电隔离。
本实用新型影像感测装置在权利要求书中公布了：1.一种影像感测装置，其特征在于，包括： 半导体主体具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧； 光感测组件阵列，位于所述半导体主体内光感测组件阵列； 网格状沟渠结构，由所述半导体主体的内部侧壁限定，从所述第二侧延伸并位于所述阵列中的所述光感测组件之间网格状沟渠结构； 网格状半导体结构，位于所述阵列中的所述光感测组件之间以及所述网格状沟渠结构与所述第一侧之间网格状半导体结构； 半导体岛，位于所述网格状半导体结构与所述第一侧之间，其中所述半导体岛和所述半导体主体接触；和 介电质岛，位于所述半导体岛和所述网格状半导体结构之间。
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