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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种手牵手型自均流碳化硅功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411235952.1，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种手牵手型自均流碳化硅功率模块是由江希;胡清荣;马年龙;袁嵩;王颖;严兆恒;弓小武设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种手牵手型自均流碳化硅功率模块在说明书摘要公布了：本发明涉及手牵手型自均流碳化硅功率模块，包括：金属基板；金属基板的上表面设置有导电金属层，导电金属层上设置有多个直流功率端子、多个交流功率端子和多个碳化硅芯片；其中多个直流功率端子、多个交流功率端子、多个碳化硅芯片构成多个互感消除回路；互感消除回路可利用两个电流方向相反的直流功率端子之间的互感相消效应，减小回路内的寄生电感，并在与互感消除回路相邻的互感消除回路中的电流发生变化时，产生感应电压以抑制与互感消除回路相邻的互感消除回路引起的电流不均衡。该方法在应用于多并联芯片的功率模块或其他复杂多变的应用工况下，具有极佳的均流效果，避免了因器件产生损耗而导致的引起电流应力差异的问题，可靠性高。

本发明授权一种手牵手型自均流碳化硅功率模块在权利要求书中公布了：1.一种手牵手型自均流碳化硅功率模块，其特征在于，包括：金属基板；所述金属基板为氮化铝基板； 所述金属基板的上表面设置有导电金属层，所述导电金属层上设置有多个直流功率端子、多个交流功率端子和多个碳化硅芯片； 其中，所述多个直流功率端子中的两个电流方向相反的直流功率端子、所述多个交流功率端子中的两个交流功率端子、所述多个碳化硅芯片中的两个碳化硅芯片构成一个互感消除回路；所述互感消除回路可利用所述两个电流方向相反的直流功率端子之间的互感相消效应，减小所述互感消除回路内的寄生电感，并在与所述互感消除回路相邻的互感消除回路中的电流发生变化时，产生感应电压，以抑制与所述互感消除回路相邻的互感消除回路引起的电流不均衡； 所述手牵手型自均流碳化硅功率模块还包括：多个金属键合线；所述导电金属层包括：第一导电金属层，所述第一导电金属层围绕第二导电金属层和第三导电金属层的整体设置；所述第三导电金属层镜像设置在所述第二导电金属层两侧； 所述第一导电金属层、所述第二导电金属层和所述第三导电金属层通过所述多个金属键合线电连接； 所述多个直流功率端子一部分设置在所述第二导电金属层上，另一部分设置在所述第三导电金属层上；所述多个交流功率端子设置在所述第一导电金属层上； 所述多个碳化硅芯片一部分设置在所述第一导电金属层上，另一部分设置在所述第二导电金属层上； 所述多个直流功率端子包括：多个DC+直流功率端子和多个DC-直流功率端子；所述多个DC+直流功率端子设置在所述第二导电金属层上，所述多个DC-直流功率端子设置在所述第三导电金属层上，所述多个DC+直流功率端子和所述多个DC-直流功率端子绕所述第二导电金属层的中心等距交替设置，以使每个直流功率端子紧邻有两个电流方向与该直流功率端子的电流方向相反的直流功率端子； 在所述互感消除回路中，电流从设置在所述第二导电金属层上的所述DC+直流功率端子流入，依次经过设置在所述第二导电金属层上的碳化硅芯片、设置在所述第一导电金属层上的交流功率端子、设置在所述第一导电金属层上的碳化硅芯片，从设置在所述第三导电金属层上的DC-直流功率端子流出； 所述多个直流功率端子、所述多个交流功率端子和所述多个碳化硅芯片构成四个所述互感消除回路，四个所述互感消除回路包括：第一互感消除回路、第二互感消除回路、第三互感消除回路和第四互感消除回路； 所述第一互感消除回路、所述第二互感消除回路、所述第三互感消除回路和所述第四互感消除回路并联；并且，所述第一互感消除回路、所述第二互感消除回路、所述第三互感消除回路和所述第四互感消除回路互相对称设置； 所述第一互感消除回路中的DC+直流功率端子紧邻所述第二互感消除回路中的DC-直流功率端子，以及所述第四互感消除回路中的DC-直流功率端子； 所述第二互感消除回路中的DC+直流功率端子紧邻所述第一互感消除回路中的DC-直流功率端子，以及所述第三互感消除回路中的DC-直流功率端子； 所述第三互感消除回路中的DC+直流功率端子紧邻所述第二互感消除回路中的DC-直流功率端子，以及所述第四互感消除回路中的DC-直流功率端子； 所述第四互感消除回路中的DC+直流功率端子紧邻所述第一互感消除回路中的DC-直流功率端子，以及所述第三互感消除回路中的DC-直流功率端子； 所述多个碳化硅芯片用于控制所述多个交流功率端子的电流方向；所述多个碳化硅芯片包括：第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片、第四碳化硅芯片、第五碳化硅芯片、第六碳化硅芯片、第七碳化硅芯片和第八碳化硅芯片； 所述第一碳化硅芯片、所述第四碳化硅芯片、所述第五碳化硅芯片和所述第八碳化硅芯片分别焊接在所述第一导电金属层的四个端，所述第二碳化硅芯片、所述第三碳化硅芯片、所述第六碳化硅芯片和所述第七碳化硅芯片分别焊接在所述第二导电金属层的四个端； 所述多个交流功率端子包括：第一交流功率端子、第二交流功率端子、第三交流功率端子、第四交流功率端子、第五交流功率端子、第六交流功率端子、第七交流功率端子和第八交流功率端子； 所述第一交流功率端子、所述第二交流功率端子、所述第三交流功率端子和所述第四交流功率端子均匀设置在所述第一碳化硅芯片和所述第五碳化硅芯片之间； 所述第五交流功率端子、所述第六交流功率端子、所述第七交流功率端子和所述第八交流功率端子均匀设置在所述第四碳化硅芯片和所述第八碳化硅芯片之间； 所述手牵手型自均流碳化硅功率模块还包括：多个驱动回路，所述多个驱动回路设置在所述金属基板上，并对称设置在所述第二导电金属层的外侧； 所述多个驱动回路通过所述多个金属键合线，分别与位于所述第二导电金属层和所述第三导电金属层的所述多个碳化硅芯片电连接；其中，一个驱动回路对应一个金属键合线，两个金属键合线对应一个碳化硅芯片； 所述多个驱动回路，用于控制所述多个碳化硅芯片的开启或关闭； 每个驱动回路包括：第一驱动金属层、第二驱动金属层、第三驱动金属层、源极驱动端子、栅极驱动端子，以及一个驱动电阻；每个驱动金属层，用于驱动所述源极驱动端子、所述栅极驱动端子，以及所述驱动电阻； 所述第一驱动金属层、所述第二驱动金属层、所述第三驱动金属层间隔设置，所述第二驱动金属层和所述第三驱动金属通过所述驱动电阻电连接，所述源极驱动端子设置在所述第一驱动金属层上，所述栅极驱动端子设置在所述第三驱动金属层上； 一个驱动回路中的所述第一驱动金属层通过所述一个金属键合线，与所述一个金属键合线对应的一个碳化硅芯片电连接。

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