重庆芯联微电子有限公司曾健纶获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利阴极安装结构、离子源及离子注入设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223193751U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422164575.9，技术领域涉及：H01J37/08；该实用新型阴极安装结构、离子源及离子注入设备是由曾健纶设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本阴极安装结构、离子源及离子注入设备在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体技术领域，提供了一种阴极安装结构、离子源及离子注入设备，阴极安装结构包括电弧室；所述电弧室上设置有供阴极穿过的安装孔；所述安装孔沿其轴向方向分为相连的小径段和大径段；所述小径段与所述电弧室的外部连通；所述大径段的一端与所述小径段连通，所述大径段的另一端与所述电弧室的内腔连通，所述大径段与所述电弧室的内腔连通的一端的内径大于所述小径段的内径。本实用新型通过对阴极安装结构的改进，以改善上述由于阴极外壁堆积生成物而导致的短路现象。
本实用新型阴极安装结构、离子源及离子注入设备在权利要求书中公布了：1.一种阴极安装结构，其特征在于，包括：电弧室； 所述电弧室上设置有供阴极穿过的安装孔； 所述安装孔沿其轴向方向分为相连的小径段和大径段； 所述小径段与所述电弧室的外部连通； 所述大径段的一端与所述小径段连通，所述大径段的另一端与所述电弧室的内腔连通，所述大径段与所述电弧室的内腔连通的一端的内径大于所述小径段的内径。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆芯联微电子有限公司，其通讯地址为：401332 重庆市沙坪坝区高新区西永街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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