成都赋仁生物科技有限公司张汝获国家专利权
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龙图腾网获悉成都赋仁生物科技有限公司申请的专利基于二硫化钼掺杂的单分子阵列芯片及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119020728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411141725.2,技术领域涉及:C23C14/16;该发明授权基于二硫化钼掺杂的单分子阵列芯片及其制备方法是由张汝;刘彬;钟晟设计研发完成,并于2024-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于二硫化钼掺杂的单分子阵列芯片及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及单分子免疫检测芯片领域,具体公开了一种基于二硫化钼掺杂的单分子阵列芯片及其制备方法,生产原料包括基底芯片和二硫化钼掺杂镀膜材料;所述二硫化钼掺杂镀膜材料由增效金属材料和二硫化钼按照1:0.01~0.8的质量比组成;所述增效金属材料包括钌。其优点是:能够显著提高单分子阵列芯片的信噪比,进一步提高该技术在单分子免疫分析中的准确性和可靠性。
本发明授权基于二硫化钼掺杂的单分子阵列芯片及其制备方法在权利要求书中公布了:1.基于二硫化钼掺杂的单分子阵列芯片的制备方法,其特征在于:生产原料包括基底芯片和二硫化钼掺杂镀膜材料;所述二硫化钼掺杂镀膜材料由增效金属材料和二硫化钼按照1:0.01~0.8的质量比组成;所述增效金属材料由钌和钯按照1:0.3~1.5的质量比组成。
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