芯恩(青岛)集成电路有限公司李亚获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利离子注入装置及半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223193753U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421915771.9，技术领域涉及：H01J37/317；该实用新型离子注入装置及半导体结构是由李亚设计研发完成，并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子注入装置及半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种离子注入装置及半导体结构。其中，所述离子注入装置内设置有第一调节挡板和所述第二调节挡板，并在二者的组合下形成一通孔。且在所述第一调节挡板和所述第二调节挡板相对移动的过程中，能够调节所述通孔的尺寸，则使得通过所述通孔的离子束的径向尺寸得以精准控制，从而能够形成窄形扫描带，利于精准界定注入扫描区域，避免形成不同注入扫描区域之间的过渡区域，确保对各区域的精准注入补偿，提高半导体结构的性能。
本实用新型离子注入装置及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种离子注入装置，其特征在于，包括离子源单元、离子束传输单元以及注入腔室； 所述离子源单元用于发射离子束； 所述离子束传输单元至少用于传输所述离子束至所述注入腔室；其中，所述离子束传输单元包括第一调节挡板和第二调节挡板，且所述第一调节挡板和所述第二调节挡板能够相对移动，以组合形成不同尺寸的通孔，使得所述离子束经所述通孔调节后，在所述注入腔室内形成符合预设尺寸的扫描带； 所述注入腔室包括承载台；所述承载台用于承载晶圆，以使经调节后的所述离子束扫描至所述晶圆表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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