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龙图腾网获悉济源海煜科技有限公司申请的专利一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008381B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411077386.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺是由聂林涛;申志兵;田斌;周于溪;朱江;杨艳;常争争设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺，属于半导体材料技术领域。该工艺包括以下步骤：1将反应管中的空气置换为氢气；将锑化铟衬底放置在反应管中，并在锑化铟衬底的表面均匀放置小粒径的铟粒；2对锑化铟衬底及铟粒加热，使得铟粒熔化，并均匀地附着在锑化铟衬底表面；3加热液态三溴化砷储罐，使得液态三溴化砷气化，并通过氢气引入到反应管中；4对反应管加热，使得小粒径铟粒、三溴化砷和氢气发生反应，在锑化铟衬底上生成砷化铟；5冷却得到砷化铟外延薄膜晶片成品。本发明采用液态三溴化砷为原料，减少了对上游原材料高纯砷的依赖，降低了生产成本；所制得砷化铟外延薄膜晶片的厚度也有显著提升。

本发明授权一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺在权利要求书中公布了：1.一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺，其特征在于，采用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的装置，该装置包括反应管、高压氢气储罐和液态三溴化砷储罐； 高压氢气储罐通过氢气输送管道与反应管的进口端连接，液态三溴化砷储罐通过三溴化砷气体输送管道与氢气输送管道连接；在液态三溴化砷储罐的外侧设置有第一加热元件； 在反应管的外侧设置有第二加热元件，在反应管的内部设置有托架，在托架处设置有第三加热元件，反应管的出口端连接废气输出管道； 该工艺包括以下步骤： 1高压氢气储罐中的氢气通过氢气输送管道输送至反应管中，将反应管中的空气完全置换；将锑化铟衬底放置在托架上，并在锑化铟衬底的表面放置铟粒； 2利用第三加热元件对锑化铟衬底及铟粒加热，使得铟粒熔化，并均匀地附着在锑化铟衬底表面； 3通过第一加热元件加热液态三溴化砷储罐，使得液态三溴化砷储罐中的液态三溴化砷气化；气化后的三溴化砷通过氢气引入到反应管中； 4通过第二加热元件对反应管进行加热，加热至400-450℃，使得铟粒、三溴化砷和氢气发生反应，在锑化铟衬底上生成砷化铟；反应产生的溴化氢通过废气输出管道排出； 5反应完成后，向反应管中持续通入常温氢气，冷却至室温，得到砷化铟外延薄膜晶片成品。

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