台湾积体电路制造股份有限公司李逸哲获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利电容器及半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223193813U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421641700.4，技术领域涉及：H01L23/64；该实用新型电容器及半导体装置是由李逸哲;陈品如;邱维刚;黄彦杰;郑凯文;黄怀莹;林佑明设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器及半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种电容器包括底部电容器极板，包括均方根RMS表面粗糙度为至少1.14的粗糙上表面；电容器介电层，位于底部电容器极板上且接触底部电容器极板的粗糙上表面；以及上部电容器极板，位于电容器介电层上。一种半导体装置包括晶体管，位于衬底上；介电层，位于晶体管上；以及电容器，位于介电层中且包括底部电容器极板，底部电容器极板连接至晶体管的源极区且具有均方根表面粗糙度为至少1.14的粗糙上表面。
本实用新型电容器及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种电容器，其特征在于，包括： 底部电容器极板，包括均方根表面粗糙度为至少1.14的粗糙上表面； 电容器介电层，位于所述底部电容器极板上且接触所述底部电容器极板的所述粗糙上表面；以及 上部电容器极板，位于所述电容器介电层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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