远山新材料科技有限公司宋辉获国家专利权
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龙图腾网获悉远山新材料科技有限公司申请的专利蓝宝石衬底GaN HEMT外延片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223195063U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421615302.5，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型蓝宝石衬底GaN HEMT外延片是由宋辉设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本蓝宝石衬底GaN HEMT外延片在说明书摘要公布了：本申请公开蓝宝石衬底GaNHEMT外延片，包括蓝宝石衬底以及依次堆叠生长在所述蓝宝石衬底表面的溅射薄膜层、缓冲层、不掺杂GaN主体层、高温InAlN层和高温AlGaN层，其中所述缓冲层为循环往复N次的低温InAlN层和低温多晶GaN层，其中所述低温InAlN层靠近所述溅射薄膜层，且N大于等于4，并小于等于8。本申请提供的蓝宝石衬底GaNHEMT外延片能够有效提升GaN002面、004面、102面的质量，增加GaN表面的平整度，从而增强AlGaN和GaN间的极化效应和减少界面散射，达到增加二维电子气浓度和二维电子气迁移率，降低外延片方片电阻的目的。
本实用新型蓝宝石衬底GaN HEMT外延片在权利要求书中公布了：1.蓝宝石衬底GaNHEMT外延片，其特征在于，包括蓝宝石衬底以及依次堆叠生长在所述蓝宝石衬底表面的溅射薄膜层、缓冲层、不掺杂GaN主体层、高温InAlN层和高温AlGaN层，其中所述缓冲层为循环往复N次的低温InAlN层和低温多晶GaN层，其中所述低温InAlN层靠近所述溅射薄膜层，且N大于等于4，并小于等于8，其中所述溅射薄膜层为AlN薄膜层，所述溅射薄膜层的厚度为10nm～25nm，其中所述低温InAlN层的厚度为2nm～10nm，所述低温多晶GaN层的厚度为5nm～10nm，且所述缓冲层的总厚度为28nm～160nm。
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