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龙图腾网获悉杭州兰特普光电子技术有限公司申请的专利一种基于光学穿透基底通道的异质集成光电子芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118519231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410792631.5，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种基于光学穿透基底通道的异质集成光电子芯片是由赵佳生;何建军设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于光学穿透基底通道的异质集成光电子芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于光学穿透基底通道的异质集成光电子芯片，包括基于相同或不同种类的若干个基底的多层堆叠光电子芯片，每层光电子芯片上设置有若干个光电子器件，存在至少一对光电子芯片层之间设置带有层间耦合结构的光学穿透基底通道，使得至少一对不同层的光电子器件之间建立光学互连；层间耦合结构包含高对准容差的耦合光栅，离耦合光栅一定距离的包层上可以制作金属高反膜实现单方向的高效率耦合。本发明解决了硅基III‑V族异质集成和3D多层芯片堆叠的技术难点，通过光学穿透基底通道实现多层芯片间光学互连，同时使得一个或多个光电子芯片正面电极可以用于与电芯片互连，避免了高制作难度的电学穿透基底通道TSV。

本发明授权一种基于光学穿透基底通道的异质集成光电子芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于光学穿透基底通道的异质集成光电子芯片，其特征在于：包括基于相同或不同种类的若干个基底的多层堆叠光电子芯片，每层光电子芯片上设置有若干个光电子器件和光波导，至少一对不同层的光电子芯片上各设置有层间耦合结构，所述至少一对光电子芯片的层间耦合结构之间存在光能够传播的光学穿透基底通道，所述至少一对光电子芯片中的第一层光电子芯片与第二层光电子芯片背靠背耦合，即第一个基底背面与第二个基底背面相互接触或键合，所述光学穿透基底通道至少穿透两个基底，其中基于第一个基底的第一层光电子芯片内的第一个层间耦合结构，通过反射或衍射机制将在该层光电子芯片平面内沿光波导传播的光转化为沿着所述光学穿透基底通道在第一个基底中传播，所述第一个层间耦合结构是一个啁啾准直光栅，通过优化设计光栅刻蚀深度和渐变的占空比获得渐变的光栅耦合系数，将光栅上本来沿波导传播方向指数递减的衍射光场裁剪成接近高斯形状，在穿透基底时保形准直传播，并使得出射光束尺寸大而且准直，得到满足要求的对准容差，光经过层间耦合光栅转换成向基底接近垂直方向发射的平行光束； 其中基于第二个基底的第二层光电子芯片内的第二个层间耦合结构将在第二个基底中沿着光学穿透基底通道传播的光通过反射或衍射机制转化为在该层光电子芯片平面内沿光波导传播的光；所述第一层光电子芯片的正面电极与外部电路直接电学连接，所述第二层光电子芯片的正面电极与转接基板进行倒装焊键合，实现与电驱动、算力和交换芯片的高速电互连，通过所述光学穿透基底通道实现层间信号传输，从而避免了高难度的传统电学TSV的通孔工艺。

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