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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利一种高质量Ag2Se胶体量子点油墨及薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118085632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410291494.7，技术领域涉及：C09D11/00；该发明授权一种高质量Ag2Se胶体量子点油墨及薄膜的制备方法是由唐利斌;李志;王毓德;左文彬;田品;才玉华;马兴招;徐培翔设计研发完成，并于2024-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高质量Ag2Se胶体量子点油墨及薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高质量Ag2Se胶体量子点（CQDs）油墨及薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，将Ag2SeCQDs溶液与配体溶液混合震荡后离心得到离心管底部的Ag2SeCQDs底物，所述配体溶液为:碘化银，碘化钾和N，N‑二甲基甲酰胺混合液；S2，加入正辛烷到Ag2SeCQDs底物中震荡30s，然后对底物进行清洗；S3，清洗数次后的Ag2SeCQDs底物中分别加入正丁胺、正己胺溶液和配体溶液静置2min后震荡1min，加入乙酸乙酯离心，得到离心管底部的Ag2SeCQDs底物；S4，在Ag2SeCQDs底物中加入N，N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、正丁胺、β‑苯乙胺和正己胺的混合溶液，震荡，然后离心得到最终的Ag2SeCQDs底物等步骤，本发明首次实现了液相Ag2SeCQDs油墨的制备，制备方法简单有效，制备的Ag2SeCQDs薄膜平整均匀、粗糙度低。

本发明授权一种高质量Ag2Se胶体量子点油墨及薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高质量Ag2Se胶体量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将Ag2SeCQDs溶液与配体溶液混合震荡后离心得到离心管底部的Ag2SeCQDs底物，所述配体溶液为:碘化银，碘化钾和N，N-二甲基甲酰胺混合液； S2：加入正辛烷到Ag2SeCQDs底物中震荡30s，然后对底物进行清洗，离心倒掉正辛烷溶液，重复此步骤数次； S3：清洗数次后的Ag2SeCQDs底物中分别加入正丁胺、正己胺溶液和配体溶液静置2min后震荡1min，加入乙酸乙酯离心，得到离心管底部的Ag2SeCQDs底物； S4：在Ag2SeCQDs底物中加入N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、正丁胺、β-苯乙胺和正己胺的混合溶液，震荡，然后离心得到最终的Ag2SeCQDs底物； S5：在最终的Ag2SeCQDs底物中加入N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和正丁胺的混合溶液，震荡后得到Ag2SeCQDs油墨，然后离心取上层的Ag2SeCQDs油墨旋涂制备得到Ag2SeCQDs薄膜。

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