江苏鑫华半导体科技股份有限公司孙彬获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请的专利一种电子级多晶硅棒破碎方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116673108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310803300.2，技术领域涉及：B02C19/18；该发明授权一种电子级多晶硅棒破碎方法及系统是由孙彬;韩秀娟;齐兰兰;闫家强;吴锋;田新;耿盼盼设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子级多晶硅棒破碎方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及多晶硅技术领域，尤其涉及一种电子级多晶硅棒破碎方法及系统，包括如下步骤：步骤一：对多晶硅棒进行加热‑急冷的步骤，使其表面及内部产生裂缝；步骤二：将多晶硅棒置入密闭容器内，对密闭容器抽真空，并注入适量水，使水对多晶硅棒的裂缝和隐裂缝进行填充；步骤三：排出密闭容器内的水，对多晶硅棒进行急冷，使其裂缝和隐裂缝内的水凝结成冰，对多晶硅棒进行破碎；步骤四：将多晶硅块恢复室温，去除其中水。本发明中可以节约人力，减少硅料与人的接触，进而避免硅料受到污染；不需要借助机械破碎，从而减少金属杂质的引入；且能够将内部的隐裂缝显现，避免后续清洗工序中隐裂显现而产生的多次返工，提高破碎效率。
本发明授权一种电子级多晶硅棒破碎方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种电子级多晶硅棒破碎方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一：对多晶硅棒进行加热-急冷的步骤，使其表面及内部产生裂缝； 步骤二：将多晶硅棒置入密闭容器内，对密闭容器抽真空，并注入适量水，使水对多晶硅棒的裂缝和隐裂缝进行填充； 步骤三：排出密闭容器内的水，对多晶硅棒进行急冷，使其裂缝和隐裂缝内的水凝结成冰，对多晶硅棒进行破碎； 步骤四：将多晶硅块恢复室温，去除其中水。
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