湖北科技学院王晓彧获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北科技学院申请的专利一种采用全氟磺酸聚合物提高性能的石墨烯基同位素电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116487087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310476446.0，技术领域涉及：G21H1/06；该发明授权一种采用全氟磺酸聚合物提高性能的石墨烯基同位素电池及其制备方法是由王晓彧;冯加明设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用全氟磺酸聚合物提高性能的石墨烯基同位素电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微能源和核技术应用领域，公开了一种采用全氟磺酸聚合物提高性能的石墨烯基同位素电池及其制备方法。该石墨烯基同位素电池包括自上而下依次层叠布置的放射源、全氟磺酸聚合物层、石墨烯层、本征半导体材料层、N型半导体材料层和背电极；全氟磺酸聚合物层作为石墨烯转移的中间介质层和石墨烯的高效P型掺杂剂，与石墨烯层组成全氟磺酸复合石墨烯层。采用本发明制备方法的能有效解决当前石墨烯功函数、本征载流子浓度较低及石墨烯转移过程中的褶皱破损导致石墨烯基同位素电池输出性能不理想的问题；同时，增加本征半导体材料层，能有效提高石墨烯基同位素电池器件的势垒宽度，进一步提升器件的整体输出性能。
本发明授权一种采用全氟磺酸聚合物提高性能的石墨烯基同位素电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用全氟磺酸聚合物提高性能的石墨烯基同位素电池，其特征在于，包括自上而下依次层叠布置的放射源（1）、全氟磺酸聚合物层（2）、石墨烯层（3）、本征半导体材料层（4）、N型半导体材料层（5）和背电极（6）；其中，所述全氟磺酸聚合物层（2）作为石墨烯转移的中间介质层和石墨烯的高效P型掺杂剂，与石墨烯层（3）组成全氟磺酸复合石墨烯层（7）。
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