南京航空航天大学马震宇获国家专利权
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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECs/ta-C复合多层结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116497328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310431049.1，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECs/ta-C复合多层结构制备方法是由马震宇;娄陈旭坤;施仙庆;周潜;赵文轩;徐锋;左敦稳设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECs/ta-C复合多层结构制备方法在说明书摘要公布了：一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECsta‑C复合多层结构制备方法，它通过高熵合金（HEA）过渡层、HEA过渡层表面强化和HECsta‑C多层交替生长形成HEAHECsta‑Cn复合涂层。其制备方法包括：（1）衬底预处理、Ar离子清洗和靶材预溅射；（2）采用磁控溅射法制备HEA过渡层AlTiVCrZr；（3）HCPEB法强化过渡层；（4）采用磁控溅射法在强化后的AlTiVCrZr过渡层上沉积AlTiVCrZrC层；（5）采用过滤阴极真空电弧法在AlTiVCrZrC层上进一步沉积ta‑C；（6）重复（4）和（5）的操作得到AlTiVCrZrCta‑C多层交替的涂层。本发明的HECsta‑C复合多层增韧耐磨蚀涂层具有高硬度、强韧性和优异的耐磨蚀性能。
本发明授权一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECs/ta-C复合多层结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECsta-C复合多层结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，对衬底表面进行预处理、Ar离子清洗和靶材预溅射； 步骤二，采用磁控溅射法，以AlTiVCrZr五种元素混合的合金靶，并通入氩气，在衬底表面制备AlTiVCrZr过渡层； 步骤三，采用HCPEB法，对AlTiVCrZr过渡层进行表面强化； 步骤四，采用磁控溅射法，以AlTiVCrZr五种元素混合的合金靶，并通入甲烷和氩气，进一步沉积AlTiVCrZrC层； 步骤五，采用过滤阴极真空电弧法，以石墨靶，并通入氩气，在AlTiVCrZrC层上进一步沉积ta-C； 步骤六，重复步骤四和步骤五的操作得到AlTiVCrZrCta-C多层交替的涂层。
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