昆明理工大学杨滨获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种氮掺杂碳材料的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116411245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310397191.9,技术领域涉及:C23C14/18;该发明授权一种氮掺杂碳材料的制备方法是由杨滨;李旭东;封赟昊;尚悦明;段亮明设计研发完成,并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮掺杂碳材料的制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种氮掺杂碳材料的制备方法,属于电催化技术领域。本发明使用离子束溅射技术,对碳材料进行氮掺杂处理,制备氮掺杂碳材料,可作为载体使用以提升碳负载型催化剂的催化性能。本发明首先通过辅助离子源,引出发散N+束流对碳材料表面进行辅助清洗,清洗完毕后,通过调节屏压,使发散N+束流强度降低,使用低能发散N+束流轰击碳材料表面,N+与碳材料表面的C原子发生弹性碰撞,从而取代C原子,即可获得氮掺杂碳材料,具有制备时间短、制备温度较低以及高氮含量的优点。在作为碳负载型Au基催化剂的载体使用时,可有效提高碳负载型Au基催化剂的析氢与加氢性能。
本发明授权一种氮掺杂碳材料的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种氮掺杂碳材料作为Au基催化剂载体的应用,其特征在于,所述Au基催化剂为Au、Au-Ni、Au-Ti、Au-Ni-Ce或Au-Ti-Ce;以氮掺杂碳材料为基底,使用溅射离子源引出Ar+束流,轰击Au靶、Au靶-Ni靶、Au靶-Ti靶、Au靶-Ni靶-Ce靶或Au靶-Ti靶-Ce靶,制备氮掺杂碳负载型Au基催化剂,轰击参数为:阴极14.3-14.5A,阳极51-56V,屏压2kV,束流70mA,加速140V,溅射时间900s; 所述氮掺杂碳材料,使用辅助离子源引出低强度的发散N+束流,对碳材料表面进行轰击,使N+取代碳材料表面C原子,即得到氮掺杂碳材料;使用辅助离子源引出低强度的发散N+束流时的束流强度为40mA;所述氮掺杂碳材料中氮的含量为6.02-13.89at%; 所述氮掺杂碳材料的制备方法,包括以下步骤: 1)将碳材料依次放入0.5molL硫酸、丙酮和去离子水中进行超声清洗,脱水干燥,得到经过预处理的碳材料; 2)在真空室压力达到3.0×10-2Pa时,加热样品台至210℃,真空室压力达到8.0×10-4Pa时,开启辅助离子源,引出发散N+束流对经过预处理的碳材料表面进行辅助清洗;辅助清洗过程中的参数为:阴极16.2-16.5A,阳极53-61V,屏压0.5kV,束流50mA,加速200V,时间300s; 清洗完毕后调节屏压,使辅助离子源引出的发散N+束流强度降低,使用低强度的N+束流对碳材料进行轰击,轰击参数为:阴极15.9-17A,阳极54-56V,屏压0.35kV,束流40mA,加速200V,溅射时间90-180s,即得到氮掺杂碳材料。
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