北京超弦存储器研究院艾学正获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118742019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310336525.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制造方法、电子设备是由艾学正;王祥升;王桂磊;赵超;戴瑾;桂文华;于伟设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储器及其制造方法、电子设备。该存储器包括存储器包括衬底以及设置于衬底上的一个或多个重复单元，多个字线。其中，重复单元包括：沿第一方向延伸且间隔设置的两个位线，及设置于两个位线间隔内的隔离层；设置于位线背离隔离层侧壁上的支撑层；支撑层包括在第一方向上间隔分布的多个子支撑部，且相邻子支撑部之间的间隔构成字线孔；晶体管位于字线孔内包括环绕字线侧壁的半导体层以及设置在字线侧壁和半导体层内侧壁之间的栅极绝缘层；其中，半导体层背离对应位线的外侧壁与相邻子支撑部背离同一位线的侧壁平齐。本公开可以大大降低后续去除寄生晶体管的工艺难度，从而提升存储器性能。
本发明授权存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底以及设置于所述衬底上的一个或多个重复单元，多个字线； 其中，所述重复单元包括： 沿第一方向延伸且间隔设置的两个位线，及设置于两个所述位线间隔内的隔离层； 设置于所述位线背离所述隔离层侧壁上的支撑层；所述支撑层包括在所述第一方向上间隔分布的多个子支撑部，且相邻所述子支撑部之间的间隔构成字线孔；所述字线位于所述字线孔内并沿垂直所述衬底的方向延伸； 多个晶体管，在任一所述位线背离所述隔离层的一侧沿所述第一方向排布呈列；所述晶体管位于所述字线孔内，包括：环绕所述字线侧壁的半导体层，以及设置在所述字线侧壁和所述半导体层内侧壁之间的栅极绝缘层； 其中，所述半导体层背离对应所述位线的外侧壁与相邻所述子支撑部背离同一所述位线的侧壁平齐。
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