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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利基于半导体激光芯片衬底微通道的分布式流型热沉及半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116404520B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310277709.5，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权基于半导体激光芯片衬底微通道的分布式流型热沉及半导体激光器是由陈琅;李特;王贞福设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于半导体激光芯片衬底微通道的分布式流型热沉及半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于半导体激光芯片衬底微通道的分布式流型热沉及半导体激光器，以解决现有微通道热沉存在的冷却液驱动压力大及热交换流程长导致的芯片良率低，散热不均匀的技术问题。该热沉中，芯片衬底微通道层包括多条衬底微通道，其沿Y向的尺寸大于等于芯片有源区沿Y向的尺寸；底板层设置有多个冷却液入口；分布式流型层的分布式流型区包括多个交替设置的冷却液流入通道和冷却液排出通道，冷却液流入通道和冷却液排出通道沿X向延伸并沿Z向贯穿分布式流型层，且一个端口与各个衬底微通道相通；冷却液流入通道还包括与冷却液入口相通的端口；冷却液排出通道还包括密封端口和位于YZ面的冷却液出口。

本发明授权基于半导体激光芯片衬底微通道的分布式流型热沉及半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种基于半导体激光芯片衬底微通道的分布式流型热沉，其特征在于：包括依次设置的芯片衬底微通道层1、分布式流型层2及底板层； 定义半导体激光芯片的宽度方向为X向，长度方向为Y向，高度方向为Z向；所述芯片衬底微通道层1包括多条沿Y向延伸的衬底微通道11，衬底微通道11之间为第一间壁12，衬底微通道11沿Y向的尺寸为L1，沿X向的尺寸为d1，沿Z向的尺寸为h1，其中L1大于等于芯片有源区沿Y向的尺寸； 所述底板层设置有多个冷却液入口； 所述分布式流型层2包括分布式流型区和用于焊接的边缘区；分布式流型区包括多个交替设置的冷却液流入通道21和冷却液排出通道22，冷却液流入通道21和冷却液排出通道22之间为第二间壁23，所述第二间壁23的XY端面与第一间壁12的XY端面相接部位固定连接； 所述冷却液流入通道21沿X向延伸且沿Z向贯穿分布式流型层2，冷却液流入通道21位于XY面的一个端口与各个衬底微通道11相通，冷却液流入通道21位于XY面的另一个端口与底板层上对应的冷却液入口相通； 所述冷却液排出通道22沿X向延伸且沿Z向贯穿分布式流型层2，冷却液排出通道22位于XY面的一个端口与各个衬底微通道11相通，底板层密封覆盖冷却液排出通道22位于XY面的另一个端口，冷却液排出通道22位于YZ面的端口作为冷却液出口； 所述冷却液流入通道21沿X向的尺寸为L2，沿Y向的尺寸为d2，沿Z向的尺寸为h2，其中，L2大于等于芯片有源区沿X向的尺寸； 所述冷却液排出通道22沿X向的尺寸为L3，沿Y向的尺寸为d3，沿Z向的尺寸为h3，其中，L3大于L2，h2＝h3。

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