西安交通大学王亚强获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种钽钛锆铬高熵合金及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310274173.1，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种钽钛锆铬高熵合金及其制备方法是由王亚强;孙文君;张金钰;吴凯;刘刚;孙军设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钽钛锆铬高熵合金及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钽钛锆铬高熵合金及其制备方法，该TaTiZrCr合金由以下成分组成，Ta:33.2％、Ti:25.7％、Zr:23.4％和Cr:17.8％。制备时首先对硅基体表面进行超声清洗并烘干；然后将基盘送入磁控溅射镀膜室抽真空；再采用直流+射频电源共溅射制备TaTiZrCr合金；最后对得到的硅基体进行真空冷却后，得到钽钛锆铬合金材料，解决材料中合金元素分布不均匀的出现，所得合金为非晶材料，且元素分布均匀，通过退火制度发现非晶维持能力高达600℃，有效改善了合金材料的综合力学性能。
本发明授权一种钽钛锆铬高熵合金及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钽钛锆铬高熵合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、去除基体表面的污渍和氧化层； 步骤2、在真空环境下，采用TaTiZr合金靶和Cr靶在基体上进行磁控溅射共溅射，沉积完成后冷却至室温得到TaTiZrCr高熵合金； 所述TaTiZr合金靶中Ti和Zr的原子百分比之和大于40at%，剩余为Ta原子，TaTiZr合金靶采用直流溅射，直流电源功率200W；Cr靶采用射频溅射，射频电源功率40-45W； 步骤3、将步骤2得到的TaTiZrCr高熵合金进行真空退火，得到退火态的TaTiZrCr高熵合金； 所述退火温度为50℃至600℃，退火时间为2-3h； 所述钽钛锆铬高熵合金为非晶结构，钽钛锆铬高熵合金中钛和锆的原子百分比之和大于40at%，铬的原子百分比为5-30at%；所述钽钛锆铬高熵合金的纳米压痕硬度为7GPa~14Gpa。
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