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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种射频开关及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116318199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310227475.3，技术领域涉及：H04B1/04；该发明授权一种射频开关及其控制方法是由刘志勇;李志强设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频开关及其控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种射频开关及其控制方法，射频开关包括：接收支路以及发射支路；接收支路包括：第一串联支路和第一并联支路；发射支路包括：第二串联支路和第二并联支路；第一串联支路、第一并联支路、第二串联支路和第二并联支路采用非对称式串并联结构布置。方法包括：利用正压对第一串联支路、第一并联支路、第二串联支路以及第二并联支路的导通状态进行控制，以控制射频开关在接收模式与发射模式之间进行切换。通过利用非对称式的串并联结构，较大的优化了毫米波相控阵收发机中发射机部分的性能，提高了发射机的线性度，同时可以实现较低的插损和较好的隔离度。通过正压对射频开关进行控制，不需要额外的负压产生电路，从而能够节省电路面积。

本发明授权一种射频开关及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种射频开关，其特征在于，所述射频开关包括： 接收支路以及发射支路； 所述接收支路包括：第一串联支路和第一并联支路； 所述发射支路包括：第二串联支路和第二并联支路； 所述第一串联支路、第一并联支路、第二串联支路和第二并联支路采用非对称式串并联结构布置； 所述第一串联支路包括： 第一隔直电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二隔直电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一反馈电容、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻、第四分压电阻、第五分压电阻、第一偏置电阻、第二偏置电阻、第三偏置电阻以及第四偏置电阻； 所述第一隔直电容的一端通过第一传输线与天线端连接，所述第一隔直电容的另一端与所述第一NMOS管的源极连接； 所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接； 所述第二NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接； 所述第三NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极连接； 所述第二隔直电容的一端通过第二传输线与所述第四NMOS管的漏极连接，所述第二隔直电容的另一端与接收机连接； 所述第一PMOS管的栅极和漏极连接至所述第一NMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极与所述第一NMOS管的体端连接； 所述第二PMOS管的栅极和漏极连接至所述第二NMOS管的栅极，所述第二PMOS管的源极与所述第二NMOS管的体端连接； 所述第三PMOS管的栅极和漏极连接至所述第三NMOS管的栅极，所述第三PMOS管的源极与所述第三NMOS管的体端连接； 所述第四PMOS管的栅极和漏极连接至所述第四NMOS管的栅极，所述第四PMOS管的源极与所述第四NMOS管的体端连接； 所述第一反馈电容的一端与所述第一NMOS管的源端连接，所述第一反馈电容的另一端通过第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻、第四分压电阻以及第五分压电阻串联至第一信号控制端； 所述第二分压电阻的两端分别与所述第二NMOS管的源极和漏极相连接； 所述第三分压电阻的两端分别与所述第三NMOS管的源极和漏极相连接； 所述第四分压电阻的两端分别与所述第四NMOS管的源极和漏极相连接； 所述第一偏置电阻的一端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一偏置电阻的另一端与第二信号控制端连接； 所述第二偏置电阻的一端与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第二偏置电阻的另一端与第二信号控制端连接； 所述第三偏置电阻的一端与所述第三NMOS管的栅极连接，所述第三偏置电阻的另一端与第二信号控制端连接； 所述第四偏置电阻的一端与所述第四NMOS管的栅极连接，所述第四偏置电阻的另一端与第二信号控制端连接。

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