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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种事故容错型Cr/Nb纳米多层涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116145084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310181149.3，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权一种事故容错型Cr/Nb纳米多层涂层及其制备方法是由王亚强;王佳宁;张金钰;吴凯;刘刚;孙军设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种事故容错型Cr/Nb纳米多层涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种事故容错型CrNb纳米多层涂层及其制备方法，通过磁控溅射在洁净的硅基体上沉积制备CrNb纳米多层涂层，其原理是Ar气经辉光放电后产生高密度Ar+，Ar+在电场的作用下被强烈吸引到负电极并以高速率轰击金属Cr直流靶和金属Nb直流靶，形成碰撞级联过程溅射出靶原子和二次电子，Cr原子和Nb原子最终反向运动至阳极的硅基体上沉积，而二次电子在正交电磁场的运动方向与电场、磁场垂直，以旋轮线的形式循环运动，提高了Ar的电离率，增加了离子密度和能量，从而实现高速率溅射。该方法通过控制调制比来对事故容错型CrNb纳米多层涂层的微观结构进行调控，提高CrNb纳米多层涂层的抗氧化性能。

本发明授权一种事故容错型Cr/Nb纳米多层涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种事故容错型CrNb纳米多层涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、对硅基体表面进行超声清洗并烘干； 步骤2、在真空环境下，采用Cr靶和Nb靶对硅基体进行直流磁控共溅射，Cr靶和Nb靶的沉积功率均为200W，沉积气压为0.3Pa，硅基体转速为10rmin，氩气流速为40sccm，沉积温度为室温，溅射沉积至预定厚度后，随炉冷却至室温得到CrNb纳米多层涂层； 所述磁控共溅射的总时间为16460s-18280s，各调制周期中，Cr靶的溅射时间为74～667s，Cr靶的溅射时间为770～86s； 所述磁控共溅射过程中，各个调制周期形成的Cr层和Nb层厚度之和相同，且各调制周期中形成的Cr层与Nb层厚度的调制比为0.1～9.0； 当调制比＜1.00时，该CrNb纳米多层涂层的晶粒形貌为三角锥状的柱状晶； 当调制比≥1.00时，该CrNb纳米多层涂层的晶粒形貌为蠕虫状的柱状晶； 所述CrNb纳米多层涂层的厚度为2μm，各调制周期Cr层和Nb层的总厚度相同并为100nm； 所述CrNb纳米多层涂层的硬度为5.0GPa～7.0GPa。

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