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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利低噪声放大器及射频芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116232238B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310210337.4，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权低噪声放大器及射频芯片是由苏俊华;郭嘉帅设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本低噪声放大器及射频芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低噪声放大器及射频芯片，其包括依次连接的信号输入端、含源级负反馈电感的共源共栅低噪声放大链路、输出匹配网络、输出电阻衰减网络以及信号输出端，所述低噪声放大器还包括多个开关、旁路匹配电路和晶体管偏置接入电路；共源共栅低噪声放大链路包括第一电感、第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第二电感、第三电感以及第二电容；多个开关包括第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关；第一电感的第二端分别连接第一开关的第一端和第二开关的第一端，第一开关的第二端分别连接旁路匹配电路的第一端和第四开关的第一端，第四开关的第一端接地，旁路匹配电路的第二端连接第三开关的第一端。本发明低噪声放大器的模式功能多样，可靠性高适用范围广。

本发明授权低噪声放大器及射频芯片在权利要求书中公布了：1.一种低噪声放大器，其包括依次连接的信号输入端、含源级负反馈电感的共源共栅低噪声放大链路、输出匹配网络、输出电阻衰减网络以及信号输出端，其特征在于，所述低噪声放大器还包括多个开关、旁路匹配电路和晶体管偏置接入电路； 所述共源共栅低噪声放大链路包括第一电感、第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第二电感、第三电感以及第二电容；多个所述开关包括第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关； 所述第一电感的第一端连接所述信号输入端，所述第一电感的第二端分别连接所述第一开关的第一端和所述第二开关的第一端； 所述第一开关的第二端分别连接所述旁路匹配电路的输入端和所述第四开关的第一端，所述第四开关的第二端接地； 所述旁路匹配电路的输出端连接所述第三开关的第一端，所述第三开关的第二端连接所述输出匹配网络的第一端； 所述第二开关的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第一晶体管的栅极； 所述第一晶体管的源极连接所述第二电感的第一端，所述第二电感的第二端连接所述晶体管接入偏置电路的第一端，所述晶体管接入偏置电路的第二端接地，所述晶体管接入偏置电路的第三端用于连接外部的控制逻辑电路，以实现控制多个所述开关的动作； 所述第一晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极，所述第二晶体管的栅极接地，所述第二晶体管的漏极分别连接所述第二电容的第一端和所述第三电感的第一端，所述第三电感的第二端连接供电电压； 所述第二电容的第二端连接所述输出匹配网络的第一端，所述输出匹配网络的第二端连接所述输出电阻衰减网络的第一端，所述输出电阻衰减网络的第二端连接所述信号输出端，所述输出匹配网络的第三端和所述输出电阻衰减网络的第三端分别接地。

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