五邑大学汤健华获国家专利权
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龙图腾网获悉五邑大学申请的专利一种弯曲传感器及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116294961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310173354.5，技术领域涉及：G01B7/28；该发明授权一种弯曲传感器及使用方法是由汤健华;段荣;徐俊佳;江励;黄辉;曾文健;罗艺;陈伟荟;张云凡;伍昆军;许航潇设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种弯曲传感器及使用方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种弯曲传感器及使用方法，其中传感器包括基材层、第一导电层和第二导电层，第一导电层和第二导电层置于基材层上且两者分隔，弯曲传感器的弯曲区的第一导电层和第二导电层在弯曲状态下所产生的形变长度不同使得电阻变化量不同，通过两个电阻变化量能够计算得到待测物的弯曲程度；通过对应设置多个弯曲区，能实现通过多个观测量计算出被测物的弯曲程度，提升弯曲传感器的测量准确性和场景适用性。
本发明授权一种弯曲传感器及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种弯曲传感器，其特征在于，包括： 基材层； 第一导电层，所述第一导电层设置于所述基材层； 第二导电层，所述第二导电层设置于所述基材层，所述第一导电层与所述第二导电层分隔； 其中，所述弯曲传感器的弯曲区的第一导电层和第二导电层在弯曲状态下所产生的形变长度不同，进而使得所述弯曲传感器的弯曲部的第一导电层和第二导电层的电阻变化量不同； 所述第一导电层的电阻变化量为：；所述第二导电层的电阻变化量为：； 为导电层的厚度，为绕制成导电层的导电材料总长度，w是导电层在x位置的宽度，为在x处的导电层拉扯伸长的应变量，所述导电层为所述第一导电层或所述第二导电层。
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