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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利具有低远区旁瓣的波导缝隙相控阵天线及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310139399.0，技术领域涉及：H01Q21/00；该发明授权具有低远区旁瓣的波导缝隙相控阵天线及其设计方法是由张志亚;戴晨晖;左少丽;车楚兴;寸怀诚;王振设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有低远区旁瓣的波导缝隙相控阵天线及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有低远区旁瓣的波导缝隙相控阵天线及其设计方法，主要解决现有波导缝隙相控阵天线扫描波束远区旁瓣升高导致雷达抗干扰能力降低，以及远区旁瓣抑制方法难以运用于波导缝隙相控阵天线的设计问题。本发明具有低远区旁瓣的波导缝隙相控阵天线由除辐射缝隙相位反相外缝隙参数相同的两种辐射单元组成，通过全局优化算法确定两种辐射单元在天线阵列中的位置及数量。本发明降低了波导缝隙相控阵天线扫描波束远区旁瓣电平，提高雷达抗干扰能力。仿真结果表明本发明实施例的波导缝隙相控阵天线各扫描波束远区旁瓣电平平均下降12.22dB。

本发明授权具有低远区旁瓣的波导缝隙相控阵天线及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种具有低远区旁瓣的波导缝隙相控阵天线设计方法，其特征在于，利用全局优化算法带入两种辐射单元阵中辐射方向图计算两种辐射单元在天线阵列中的位置及数量；该方法的步骤包括如下： 步骤1，提取辐射单元阵中辐射方向图： 建立由M个除辐射缝隙相位反相外缝隙参数相同的两种辐射单元组成的仿真模型，其中M≥4，M的取值小于N且至少包含两种辐射缝隙相位反相的辐射单元位于天线阵中；对仿真模型进行仿真并提取位于天线阵中两种辐射单元分别对应的阵中天线辐射方向图； 步骤2，利用全局优化算法计算两种辐射单元在天线阵列中的位置及数量： 步骤2.1，设定两种辐射单元在波导缝隙相控阵天线的数量及位置的初始值，将该初始值、辐射单元阵中辐射方向图及扫描波束对应各单元相位值带入到天线阵列合成计算公式中，得到该初始值对应的波导缝隙相控阵天线扫描波束的天线辐射方向图，将该初始值对应的天线辐射方向图上主波束30°范围外的最大电平标定为波导缝隙相控阵天线扫描波束的远区旁瓣电平； 步骤2.2，将波导缝隙相控阵天线扫描波束的远区旁瓣电平作为优化目标，将辐射单元在波导缝隙相控阵天线的数量及位置作为优化变量，设置对应全局优化算法的最大迭代次数； 步骤2.3，将优化目标、优化变量带入全局优化算法进行迭代计算，直至达到最大迭代次数，得到具有最低波导缝隙相控阵天线扫描波束的远区旁瓣电平所对应的辐射单元在波导缝隙相控阵天线的数量及位置。

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