四川攀西碲铋产业技术研究院有限责任公司彭德权获国家专利权
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龙图腾网获悉四川攀西碲铋产业技术研究院有限责任公司申请的专利一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115955903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310124607.X,技术领域涉及:H10N10/852;该发明授权一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法是由彭德权;戈镇洲;舒元春设计研发完成,并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法,属于热电技术领域,目的在于提供一种附着力强、阻隔性好、电阻率低、与焊料湿润性好的n型碲化铋热电器件的封装结构及其制备方法。其包括缓冲层、阻挡层、电极层,所述缓冲层的材质为导电半导体氧化物,所述阻挡层的材质为金属或金属合金,所述电极层的材质为金属或金属合金。其通过在碲化铋基体引入导电半导体氧化物作为缓冲层,可以有效地阻止阻挡层金属离子与碲化铋基体形成固熔体,增加了碲化铋基体与封装层的结合强度。本发明适用于一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法。
本发明授权一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种碲化铋基热电器件的封装结构,其特征在于,包括依次设置在n型碲化铋材料基体(4)上的缓冲层(1)、阻挡层(2)、电极层(3),所述缓冲层(1)的材质为导电半导体氧化物,所述阻挡层(2)的材质为金属或金属合金,所述电极层(3)的材质为金属或金属合金。
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