江西兆驰半导体有限公司程龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310123906.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述非掺杂GaN层依次包括设于所述缓冲层上的第一GaN层、阵列于所述第一GaN层上的多个微镜柱和包裹于所述微镜柱上的第二GaN层；其中，每个微镜柱为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的Ta2O5层和SiO2层，周期数为1～20；每个微镜柱的宽度为0.1～10μm，高度为0.1～6μm，相邻微镜柱之间的距离为0.3～8μm。实施本发明，可提升发光二极管外延片的光提取效率。
本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其特征在于，所述非掺杂GaN层依次包括设于所述缓冲层上的第一GaN层、阵列于所述第一GaN层上的多个微镜柱和包裹于所述微镜柱上的第二GaN层； 其中，每个微镜柱为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的Ta2O5层和SiO2层，周期数为1～20；单个所述Ta2O5层的厚度与单个所述SiO2层的厚度之比为1:1～5；每个微镜柱的宽度为0.1～10μm，高度为0.1～6μm，相邻微镜柱之间的距离为0.3～8μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号