上海交通大学张艳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利基于范德华异质结的微纳太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115955847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310108693.5，技术领域涉及：H10K30/15；该发明授权基于范德华异质结的微纳太阳电池及其制备方法是由张艳;葛骑岐;魏浩;朱文欢设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于范德华异质结的微纳太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种涉及太阳电池制备技术领域的基于范德华异质结的微纳太阳电池，主体结构从下往上依次为：底层低阻金属导电电极、黑磷薄膜、碳纳米管薄膜、二硫化钼薄膜以及顶层透明导电电极。底层低阻金属导电电极选用金属钛材料，黑磷薄膜选用p型5‑10层直接带隙薄膜样品，碳纳米管薄膜由带隙为0.6eV左右的半导体性本征单臂碳纳米管自由搭建而成，二硫化钼薄膜选用n型单层直接带隙薄膜样品，顶层透明导电电极选用掺杂氟的SnO2透明导电玻璃FTO材料。本发明基于不同低维纳米材料的范德华异质结构微纳太阳电池，能够有效改善现有微纳太阳电池存在的感光灵敏度低、光吸收能力不足等问题；通过微加工技术、表面钝化技术和衬底转移技术的联合应用的制备方法。
本发明授权基于范德华异质结的微纳太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于范德华异质结的微纳太阳电池，其特征在于，包括底层低阻金属导电电极1、黑磷薄膜2、碳纳米管薄膜3、二硫化钼薄膜4以及顶层透明导电电极5，所述底层低阻金属导电电极1上设有所述黑磷薄膜2，所述黑磷薄膜2上设有所述碳纳米管薄膜3，所述碳纳米管薄膜3上设有所述二硫化钼薄膜4，所述二硫化钼薄膜4上设有所述顶层透明导电电极5。
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