京东方科技集团股份有限公司杨静获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310134415.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制作方法、显示装置是由杨静;孙拓;张慧娟;屈财玉设计研发完成，并于2023-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制作方法、显示装置在说明书摘要公布了：一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括：衬底基板及位于其上的多个像素单元，每个像素单元包括驱动电路和发光器件，驱动电路包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管分两层设置，多个薄膜晶体管中包括目标薄膜晶体管，目标薄膜晶体管位于远离衬底基板的一层；发光器件包括：阳极、发光层和阴极；阵列基板还包括：沟道遮挡层，与阳极同层设置，目标薄膜晶体管的有源层在衬底基板上的正投影区域位于沟道遮挡层在衬底基板上的正投影区域内；沟道遮挡层背向目标薄膜晶体管的一侧表面的边缘区域朝向衬底基板的方向弯折，或，沟道遮挡层与目标薄膜晶体管的有源层所在平面的垂直距离小于阳极与目标薄膜晶体管的有源层所在平面的垂直距离。
本发明授权阵列基板及其制作方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底基板以及设置于所述衬底基板上的多个像素单元，每个所述像素单元包括驱动电路以及与所述驱动电路连接且位于所述驱动电路远离所述衬底基板一侧的发光器件，所述驱动电路包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管分两层设置，所述多个薄膜晶体管中包括目标薄膜晶体管，所述目标薄膜晶体管位于远离所述衬底基板的一层；所述发光器件包括：叠层设置的阳极、发光层和阴极； 所述阵列基板还包括：沟道遮挡层，所述沟道遮挡层与所述阳极同层设置，所述目标薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影区域位于所述沟道遮挡层在所述衬底基板上的正投影区域内； 其中，所述沟道遮挡层背向所述目标薄膜晶体管的一侧表面的边缘区域朝向所述衬底基板的方向弯折，或者，所述沟道遮挡层与所述目标薄膜晶体管的有源层所在平面的垂直距离，小于所述阳极与所述目标薄膜晶体管的有源层所在平面的垂直距离。
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