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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利基于LDMOS的静电防护半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310086991.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权基于LDMOS的静电防护半导体器件是由李奎;陈天;肖莉;王黎;陈华伦设计研发完成，并于2023-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于LDMOS的静电防护半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于LDMOS的静电防护半导体器件，包括：衬底、漂移区、漏掺杂区、第一沟槽隔离结构、第二沟槽隔离结构、环形阱区、第一环形隔离结构、环形源掺杂区、环形体端掺杂区和环形栅极。本申请通过将器件左侧设计成第一LDMOS、右侧设计成第二LDMOS，使器件具有从阳极到阴极的两条静电电流泄放路径，并使第一沟槽隔离结构的深度小于第二沟槽隔离结构，利用具有低击穿电压的第一LDMOS被击穿后的电流钳位控制具有高击穿电压的第二LDMOS的栅压，开启第二LDMOS，以通过沟道快速泄放ESD电流，提高器件整体ESD防护能力，避免了超快静电脉冲下器件内部发生kirk效应而造成的失效，增强了器件性能的稳定性。

本发明授权基于LDMOS的静电防护半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种基于LDMOS的静电防护半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 漂移区，所述漂移区位于所述衬底中且靠近所述衬底的表面； 漏掺杂区，所述漏掺杂区位于所述漂移区中； 第一沟槽隔离结构，所述第一沟槽隔离结构位于所述漂移区中并且位于所述漏掺杂区一侧； 第二沟槽隔离结构，所述第二沟槽隔离结构位于所述漂移区中并且位于所述漏掺杂区另一侧； 环形阱区，所述环形阱区位于所述衬底中并且环绕所述漂移区设置； 第一环形隔离结构，所述第一环形隔离结构位于所述环形阱区中； 环形源掺杂区，所述环形源掺杂区位于所述环形阱区中并且位于所述第一环形隔离结构内侧； 环形体端掺杂区，所述环形体端掺杂区位于所述环形阱区中并且位于所述第一环形隔离结构外侧；以及， 环形栅极，所述环形栅极位于所述漂移区和所述环形阱区之间的所述衬底上； 其中， 所述第一沟槽隔离结构的深度小于所述第二沟槽隔离结构的深度； 以所述漏掺杂区为中心，从所述漏掺杂区的中心往左侧区域的半导体结构构成第一LDMOS，从所述漏掺杂区的中心往右侧区域的半导体结构构成第二LDMOS； 所述漏掺杂区接外部电源的阳极，所述第一LDMOS中的所述环形源掺杂区、所述环形体端掺杂区和所述环形栅极均接外部电源的阴极，所述第二LDMOS中的所述环形源掺杂区、所述环形体端掺杂区和所述环形栅极均接外部电源的阴极。

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