买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十九研究所申请的专利一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116260441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310082375.6，技术领域涉及：H03K17/51；该发明授权一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片是由刘云刚;韩思扬;卢子焱;王海龙设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片，包括设置于砷化镓PHEMT半导体电路层上的开关矩阵电路，所述开关矩阵电路包括m个输入端、m个开关结构、垂直过渡结构、n个功分器、n个输出端，所述垂直过渡结构设置为共面波导的结构形式，所述输入端电连接所述开关结构的信号输入端，所述开关结构的信号输出端电连接所述垂直过渡结构和所述功分器的信号输入端，所述垂直过渡结构的信号输出端电连接所述功分器的信号输入端，所述功分器的信号输出端电连接所述输出端。采用砷化镓pHEMT工艺实现高集成开关矩阵芯片，该开关矩阵芯片集成多个开关和功分器，并集成高隔离垂直过渡结构，可实现高隔离、低损耗功能。

本发明授权一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片在权利要求书中公布了：1.一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片，其特征在于，包括设置于砷化镓PHEMT半导体电路层上的开关矩阵电路，所述开关矩阵电路包括m个输入端、m个开关结构、垂直过渡结构、n个功分器、n个输出端，所述垂直过渡结构设置为共面波导的结构形式，所述输入端电连接所述开关结构的信号输入端，所述开关结构的信号输出端电连接所述垂直过渡结构和所述功分器的信号输入端，所述垂直过渡结构的信号输出端电连接所述功分器的信号输入端，所述功分器的信号输出端电连接所述输出端； 所述砷化镓PHEMT半导体电路层包括砷化镓层（GaAs）、第一金属层（M1）、薄膜电阻层（RT）、氮化硅介质层（SiN）、聚酰亚胺介质层（Polymide）和第二金属层（M2），所述砷化镓层（GaAs）设置于底部，所述氮化硅介质层（SiN）和所述聚酰亚胺介质层（Polymide）依次设置于所述砷化镓层（GaAs）之上，所述第一金属层（M1）作为电容下电极设置于所述砷化镓层（GaAs）和所述氮化硅介质层（SiN）之间，所述第二金属层（M2）作为电容上电极设置于所述聚酰亚胺介质层（Polymide）之上，并通过第二过孔层（P1）向下扩展与所述氮化硅介质层（SiN）直接相连，所述第一金属层（M1）、氮化硅介质层（SiN）、第二过孔层（P1）和第二金属层（M2）共同构成MIM电容；所述薄膜电阻层（RT）设置于所述砷化镓层（GaAs）和所述氮化硅介质层（SiN）之间，用于制作pHEMT管的栅极隔离电阻。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第二十九研究所，其通讯地址为：610036 四川省成都市金牛区营康西路496号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。