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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种有机半导体材料相对介电常数的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115825580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211685086.7，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种有机半导体材料相对介电常数的测量方法是由刘瑞兰;唐超;戎舟;徐慧;黄维设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有机半导体材料相对介电常数的测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有机半导体材料相对介电常数的测量方法。基于制备具有阴极有机层阳极的单层器件，依据电流密度方程和泊松方程建立该器件的阻抗模型和阻抗相位模型；利用正弦小信号作为上述器件的激励信号，用阻抗谱仪测量该器件在直流偏压下的阻抗谱数据。用测量的阻抗谱数据拟合出阻抗相位模型中的未知参数——载流子迁移时间，然后将载流子迁移时间代入到阻抗模型，再用最小二乘法计算出有机材料的相对介电常数。该方法测量的介电常数误差较小，且该方法需要被测样品的厚度仅为600纳米，这对于许多昂贵的新材料而言，非常节省成本。

本发明授权一种有机半导体材料相对介电常数的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种有机半导体材料相对介电常数的测量方法，其特征在于：针对待测有机半导体材料，执行以下步骤，获得待测有机半导体材料的相对介电常数： 步骤A：基于待测有机半导体材料，构建待测器件；待测器件的结构包括阳极层、阴极层、有机层，有机层为待测有机半导体材料设置在阴极层与阳极层之间； 步骤B：针对待测器件，基于加载在待测器件阴阳极两端的预设直流电压、以及预设各频率的正弦电压小信号，测量获得待测器件的阻抗谱数据； 步骤C：基于该待测器件的阻抗谱数据，结合待测器件的阻抗相位模型，获得待测有机半导体材料的单载流子迁移时间τdc； 上步骤C中，基于该待测器件的阻抗谱数据，结合如下公式所示的待测器件的阻抗相位模型进行拟合，获得待测有机半导体材料的单载流子迁移时间τdc： 式中，θω为阻抗相位，ω为正弦电压小信号的角频率；τdc为待测有机半导体材料的单载流子迁移时间；ImZω为实测阻抗Zω的虚部；ReZω实测阻抗Zω的实部； 步骤D：基于待测有机半导体材料的单载流子迁移时间τdc，结合待测器件的阻抗模型，获得待测有机半导体材料的相对介电常数； 上述步骤D中，将待测有机半导体材料的单载流子迁移时间τdc代入待测器件的阻抗模型，用最小二乘法，获得待测有机半导体材料的相对介电常数，如下公式所示： 式中，d为有机层厚度，S为待测器件电极的有效面积，ε0为真空介电常数，εr为有机半导体材料的相对介电常数，i为虚数单位，ωk为正弦电压小信号中第k个角频率，共有n个角频率，|Aωk|为Aωk的模值，|Zωk|为Zωk的模值，Zωk为ωk对应的实测阻抗值。

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