武汉华星光电技术有限公司刘学敏获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863359B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211678661.0，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板是由刘学敏设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述阵列基板包括：衬底基板，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区；薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上，且所述薄膜晶体管位于所述显示区内；钝化层，设置于所述薄膜晶体管和所述衬底基板上；其中，所述钝化层包括位于所述显示区的第一钝化层和位于所述非显示区的第二钝化层，所述第一钝化层与所述第二钝化层同层设置，且所述第一钝化层的光穿透率高于所述第二钝化层的光穿透率。本申请提供的阵列基板结构能够提升阵列基板的穿透率，且不会影响到显示面板的信赖性。
本发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底基板，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区； 薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上，且所述薄膜晶体管位于所述显示区内； 钝化层，设置于所述薄膜晶体管和所述衬底基板上； 其中，所述钝化层包括位于所述显示区的第一钝化层和位于所述非显示区的第二钝化层，所述第一钝化层与所述第二钝化层同层设置，所述第一钝化层的材料和所述第二钝化层的材料不同，所述第一钝化层和所述第二钝化层在所述显示区和所述非显示区的交界处相互接触，且所述第一钝化层的光穿透率高于所述第二钝化层的光穿透率，所述第二钝化层的致密性大于所述第一钝化层的致密性。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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